사파이어 웨이퍼

소개글

신소재공학관련자료입니다.새로운소재관련 수업이구요당연히 A+입니다. 모든게 다있습니다.. 다른 자료찾아봐야 소용없습니다.제가 보장합니다.후회없으실 듯^^

목차

Ⅰ 서 론
Ⅰ-1 설계 주제
Ⅰ-2 조원 소개
Ⅰ-3 기판 개발의 필요성
Ⅰ-4 LED 란 무엇인가
Ⅰ-5 Wafer 란 무엇인가

Ⅱ 본 론
Ⅱ-1 기판의 종류와 에피
Ⅱ-2 Wafer 공정
Ⅱ-3 Sapphire Wafer VS Silicon Wafer
Ⅱ-4 Sapphire Wafer 의 문제점
Ⅱ-5 Sapphire Wafer 현황

Ⅲ 결 론
Ⅲ-1 LED기판 wafer의 시장성
Ⅲ-2 LED기판 wafer의 전망
Ⅲ-3 기판개발을 위한 연구동향

Ⅳ 참 고 문 헌

본문내용

Ⅰ-3. 기판 개발의 필요성

1) GaN를 이용한 소자제작의 문제점

GaN는 3.39eV의 직접전이형 밴드갭을 가지는 광대역반도체(wide bandgap semiconductor)로서 70년대 초부터 청색 발광 소자를 비롯한 다양한 광전소자와 보호박막 등의 응용을 목적으로 연구되어왔던 물질이다. 1992년에 일본 Nichia chemical사 Nakamura 그룹에 의해 청색LED가, 1995년에 상온에서 연속 발진하는 반도체레이저(LD, laser diode)의 개발이 보고된 이후 세계적으로 활발하게 연구되고 있는 유용한 물질이다. GaN는 상온에서 a=3.189Å c=5.185Å의 격자상수를 가지며, 질소의 전기 음성도가 커서 안정상태로는 wurtzite 구조를, 준안정상태로는 Zinc-blende 구조를 가진다. GaN는 InN (Eg=1.92eV)나 AlN (Eg=6.2eV)와 같은 Ⅲ-Ⅴ계 질화물반도체와 연속적인 고용도를 가지므로 InxGa1-xN나 GaxAl1-xN 같은 삼원계질화물 전율고용체를 형성하는데, 이들 삼원계질화물의 조성에 따라 밴드갭이 조성의 1차함수로 변화하기 때문에, 이들 Ⅲ-Ⅴ 질화물의 조성을 조절하는 것에 의하여 적색에서 자외선의 전 가시영역 구간을 포함하는 발광, 수광 소자를 제작할 수 있다.

GaN를 이용한 청색파장의 광소자는 기존에 개발된 GaAs및 InP계 화합물 반도체를 이용한 녹색과 적색 광소자와 함께 디스플레이의 총천연색 화를 가능케 하여, 이를 이용한 다양한 전자기기의 계기판과 같은 영상단말기 및 그래픽 관련 분야에 많은 응용가능성을 가진다. 또한 초고속 광대역 정보통신망의 개발과 광가입망의 확대로 인한 광대역 대용량 정보의 전송 및 처리의 필요성이 더욱 요구되는 정보 통신 분야에서 광정보처리 시스템의 용량은 사용하는 광원 파장의 제곱에 반비례(1/λ2) 하므로 GaN를 이용한 청색 및 자외선 영역의 단파장 반도체 레이저가 개발될 경우, 광정보 처리 용량을 크게 증대시킬 수가 있다.

참고 자료

없음