[발광디스플레이 실험] CNT소자의 제작과 특성평가

소개글

2011년 2학기 경희대학교 정보디스플레이 학과 발광디스플레이 실험 보고서입니다. A+ 받은 자료입니다.

목차

1. 실험 제목
2. 실험 날짜
3. 실험 목적
4. 실험 도구 및 실험 방법
5. 실험 장비의 작동 원리 및 실험 이론
6. 실험 결과
7. 실험 결과 토의

본문내용

3. CVD 및 PECVD의 원리
이번 실험에서는 PECVD를 통해 CNT를 성장시켰는데 CVD와 PECVD에 관한 것을 조사하였다.
① CVD의 개요
CVD는 여러 가지 물질의 박막제조에 있어서 현재 가장 널리 쓰이고 있는 방법이다. 간단히 말하면 반응기체의 유입하에서 가열된 substrate 표면에 화학반응에 의해 고체 박막이 형성되는 것을 일컫는데, 이 공정은 어떤 박막을 형성하느냐에 따라서 매우 다양한 기체, 액체, 심지어는 고체의 원료가 사용된다.
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그림 27 CVD의 반응과정
보통의 CVD 공정에서는, 상온의 반응기체(일반적으로 carrier-gas에 의해 농도가 낮아진다)가 reaction chamber안으로 유입되는데, 이 기체 혼합물은 증착표면에 이르기 까지 가열되고, 대류 또는 증착표면의 가열에 의해 계속 열을 공급받는다(여러 가지 공정 조건에 따라서 반응기체는 증착 표면에 이르기 전에 기상에서 homogeneous한 반응을 일으키기도 한다). 증착표면 근처에서는 기체흐름이 가열되고, 점성에 의해 속도가 떨어지며, 조성의 변화가 생기기 때문에 열, 운동량, 화학조성의 boundary layer가 형성된다. 도입기체 또는 반응중간체(기상 열분해에서 생긴)는 증착표면에서 heterogeneous한 반응을 일으키고 이로 인해 박막이 형성되게 된다. 이어서 기상의 부산물들은 reaction chamber를 빠져나간다.

참고 자료

없음