Power BJT, Power FET, Thyristor, IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석

소개글

Power BJT, Power FET, Thyristor, IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석에 관한 자료 입니다.

목차

[1] BJT

[2] BJT 기본 구조

[3] BJT 동작

[4] BJT 차단 모드 동작

[5] BJT 포화 모드 동작

[6] FET-JFET, MOSFET

[7] JFET- Gate와 Channel 이 PN접합의 상태

[8] MOSFET- Channel에 절연 Gate를 사용하여 D-S간 전류를 제어.

[9] FET Switching Circuits.

[10] FET Switching Circuits

[11] Thyristor-SCR(역저지 3단자 사이리스터)-실리콘 제어 정류소자

[12] SCR 턴온 과정

[13] SCR 턴 오프 방법

[14] IGBT

[15] IGBT

본문내용

[1] BJT
Bipolar Junction Transistor


Switching , Amplifier

1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용

Electric Machinery Lab. KOREA

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[2] BJT 기본 구조
바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과
이들에 의해 형성되는 두 개의 PN접합으로 구성

PNP형: 베이스가 N형이고 이미터가 P형
NPN형: 베이스가 P형이고 이미터가 N형

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[3] BJT 동작
차단모드-개방 스위치
활성모드 : 증폭기
포화모드 : 도통 스위치

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[4] BJT 차단 모드 동작
VB
IC=0 이므로 컬렉터 전압은 VC=VCC-ICRC=VCC임.즉 VB 개방형 스위치로 동작



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[5] BJT 포화 모드 동작
B-E접합과 B-C접합이 모두 순방향 바이어스인 경우

VCE0 이 되는 순간 포화모드가 됨
도통형 스위치로 동작



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[6] FET-JFET, MOSFET
Field ?Effect Transistor


반도체 Switching 소자

1000V,50A 정격에도 사용 가능 , 100kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용

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[7] JFET- Gate와 Channel 이 PN접합의 상태
Drain 특성곡선
A-B : VDS에 대해 ID가 비례하여 증가 -> Ohmic region
B-C : VDS가 증가해도 ID는 일정하게 유지->Constant Current region
C 점 이후 : Breakdown region
Pinch-off Voltage Vp : B점 (정전류가 시작되는 점)의 전압

참고 자료

없음