[반도체공학] pn접합의 제작

등록일 2002.10.25 한글 (hwp) | 5페이지 | 무료

목차

* Thermal Oxidation(열산화)
* Diffusion(확산)
* Rapid Thermal Processing(급속 열처리 공정)
* Ion Implantation(이온 주입법)
* Chemical Vapor Deposition : CVD(화학기상 증착)
* Photolithography(사진석판)
* Etching(식각)
* Metallization(금속화 공정)

본문내용

* Thermal Oxidation(열산화)
화학반응을 가속시키기 위해 웨이퍼를 가열하는 과정 중 를 형성시키는 공정이다. 건식 나 와 같이 산소를 포함하는 가스는 대기압에서 관속으로 흘려지고, 다른 쪽 끝으로 흘러나가게 된다.
두 경우모두에 있어서, Si는 기판의 표면에서부터 소모된다. 가 매 마이크로 단위로 성장될 때마다 0.44㎛의 Si이 소모되어 층은 산화과정에서 소모된 이 Si층 체적의 2.2배만큼 확장된다. Si 집적회로가 존재하게 된 매우 중요한 이유 중 하나는 안정한 열적 산화가 아주 우수한 interface electrical property를 가진 Si 위에 성장될 수 있다는 것이다.
* Diffusion(확산)
IC 공정에서 광범위하게 사용되었던 또 다른 열처리 과정은 노에서 생기는 dopant의 열에 의한 내부로의 확산이다. 붕소(B), 인(P), 비소(As)와 같은 dopant들은 일반적으로 가스나 증기 원료를 사용해서 고온(∼800∼1000℃)의 diffusion furnace 내에서의 패턴된 웨이퍼 안으로 도입된다. 고체 속에서의 dopant의 확산계수인 D는 온도 Y에 대해 강한 아리니우스 의존성을 가진다.
는 재료와 도펀트에 의존하는 상수, 는 활성화 에너지, 확산거리는 , t는 공정시간, Dt 곱은 Thermal budget(열예산)으로 불린다.
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