비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사

*정*

최초 등록일: 2011.12.08
최종 저작일: 2011.05; 5페이지/ 한컴오피스; 가격 1,500원

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비휘발성 차세대 메모리에 대한 조사관련 레포트입니다.

* 비휘발성 차세대 메모리의 개요

*비휘발성 차세대 메모리의 종류
1. FeRAM (Ferroelectric RAM : 강유전체램)
2. PRAM (Phase Change RAM : 상변화램)
3. NFGM (Nano Floating Gate Memory : 나노튜브램)
4. PoRAM (Polymer RAM : 폴리머램)
5. ReRAM (Resistance RAM : 저항램)
6. MRAM (Magnetoresistive RAM : 강자성램)

*비휘발성 차세대 메모리의 향후 전망

본문내용

* 비휘발성 차세대 메모리의 개요
비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비휘발성, 빠른 처리 속도, 데이터의 무작위적 접근(random access), 최소 전력 소비, 초소형, 안전성, 저렴한 가격 등 요구되는 장점들을 고루 갖춘 이상적인 메모리를 말한다.
현재 연구되고 있는 차세대 메모리들은 반도체 메모리가 주축을 이루며, 현재의 DRAM이나 플래시 메모리보다 더 빠르고 더 작은 회로선폭을 갖는 비휘발성 메모리를 개발하기 위한 노력의 결과가 구체화되고 있다. 기본 단 위인 셀을 구조나 물질에 따라 FeRAM (Ferroelectric RAM : 강유전체램), PRAM (Phase Change RAM : 상변화램), NFGM (Nano Floating Gate Memory : 나노튜브램), PoRAM (Polymer RAM : 폴리머램), ReRAM (Resistance RAM : 저항램), MRAM (Magnetoresistive RAM : 강자성램) 로 나누어져 있다.

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