[결과보고서]실험2.다이오드 특성

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(Si 다이오드)
(Ge 다이오드)
c. 다이오드 전류가 증가함에 따라 Si과 Ge의 DC 저항에서 어떤 변화가 있는가?
위 두 표에서 보면 다이오드의 전류가 증가할수록 의 값이 감소한다. 즉, 다이오드에 걸리는 전압이 Knee Voltage를 넘어서면 다이오드는 하나의 작은 저항을 가지는 소자와 같은 역할을 한다.
(5)DC 저항
a. 식 를 이용하여 실험 (2)의 d에서 그린 그래프를 사용한 ID=9mA에서 Si 다이오드의 AC저항을 측정하라.
rd=2*(26mV/ ID ) = 5.7778Ω
b. Si 다이오드에서 식 26 mV / ID (mA)를 이용하여 ID = 9mA에서 AC 저항을 결정하고 a의 결과와 비교하라.
rd=26mV/ ID = 2.8889Ω
c. Si 다이오드에서 ID = 2 mA로 순서 a,b를 반복하라.
rd=2*(26mV/ ID ) = 26Ω
rd=26mV/ ID = 13Ω
고찰 : (5)실험 결과 (4)실험에서 확인 하였던 다이오드의 전류가 증가할 수록 저항은 감소한다는 일반적 특성을 다시 한번 확인 할 수 있었다

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