반도체 제조공정

등록일 2002.10.15 한글 (hwp) | 17페이지 | 가격 1,000원

소개글

실험 때문에 힘들게 썼던 레포트 입니다.
조금이나마 도움이 되었으면 해서 올립니다..

목차

웨이퍼 제조 및 회로 설계
웨이퍼 가공
조립 및 검사
NMOS 트랜지스터 제조공정

본문내용

웨이퍼 제조 및 회로 설계

단결정 성장 (Crystal Growing)

고순도로 정제된 실리콘(규소) 용액을 주물에 넣어 회전시키면서 실리콘 기둥(봉)을 만든다.



단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫번째 공정이다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉으로 변형된다. 고진공 상태에서 섭씨 1400도 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게 조절되는 조건하에서 큰 직경을 가진 단결정봉으로 성장한다. 이와 같은 성장과정이 끝나면, 단결정봉은 실내온도로 식혀지고 각각의 단결정봉이 여러 조건에 부합되는지를 평가하게 되고, 단결정봉은 부분별로 가공되어 정확한 직경을 갖게 되는 것이다.

실리콘 단결정 제조법에는 floating zone method 와 czochralski method 가 있다.
웨이퍼(Wafer)의 제작을 위해 우선 단결정 실리콘의 ingot(주괴)을 만들어야 하며 이 실리콘 인곳을 자르고 다듬는 공정을 거쳐 웨이퍼를 제작한다. 실리콘 웨이퍼의 원료는 석영암 (Quartize)이라 불리는 순수한 모래(SiO2)이며, 이것을 탄소(Coal, Coke, Wood,...)와 함께 노(Furnace)에 넣으면 다음과 같은 반응을 일으킨다.
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