[다이오드,MOFET등...] 전력전자

등록일 2002.10.11 한글 (hwp) | 16페이지 | 가격 1,000원

목차

1. 다 이 오 드
2. SCR 사이리스터
3. GTO 사이리스터
4. 바이폴라 트랜지스터
5. MOSFET
6. IGBT
7. MCT

본문내용

다이오드(diode)는 온 ·오프 제어불가 스위치로, 단방향 전압저지, 단방향 전류 특성을 갖는다. 그림 2-28 (a)는 다이오드의 회로기호를 나타내며, A는 애노드(anode), K는캐소드(cathode)라고 한다. 전류는 항상 애노드에서 캐소드로 흐른다. 다이오드는 외부 회로에 의하여 VAK>0 되는 전압(순방향 전압)이 인가되면 턴온되고, 온 상태에서 애노드 전류 iA가 iA<0 되려 할 때 턴오프된다.

그림 2-28(b)에서 보듯이, 다이오드는 온 상태에서 매우 작은 온드롭(on-drop)
(약 1V 정도)를 갖고, 오프되면 동작전류 IF에 비하여 무시할 만큼 작은 누설전류
IR만을 흘리므로, 회로의 구성
이나 동작해석의 관점에서는 그림 2-28 (c)와 같이 이상적인특성을 갖는 것으로 볼 수 있다. 누설전류 IR은 다이오드가 견딜 수 있는 최대 역방향전압 VBR에 따라 증가하는 경향이 있다. 예를 들면, 약 5000v 이상의 VBR을 갖는 다이오드의 경우, IF에 따라 조금
씩은 다르지만, IR은 약 1uA~lmA 수준이다.
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