SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 실험 예비

소개글

2011년 1학기 실험입니다.

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
6. 참고자료 (상세히 작성)

본문내용

1. 실험제목
박막재료의 표면처리 및 PR 제거
2. 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.
3. 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.
4. 실험절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행한다.
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다.
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
- 플라즈마를 고체, 액체, 기체 외 4번째 상태로 본다. 기체 상태의 물질에 계속 열(에너지)을 가하면, 이온핵과 자유전자로 이루어진 집합체(준중성 기체)가 만들어지며 플라즈마라고 한다. 플라즈마는 전리반응을 이용한다. 원리는

참고 자료

- 반도체 공학 2001. 도서출판 일진사. p.122~130, p.119~121 <스캔 그림 출처>
- 반도체 공학 2000. 도서출판 진영사. p.111~122
- 박막 공학 2009. 두양사. p.168~170
- http://exelan3.blog.me/30084122371
- http://exelan3.blog.me/30084177563
- http://blog.naver.com/hedger/80028120026
- 반도체 공학 도서출판 기다리. P1~2