공통 베이스 및 이미터 플로어(공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기

소개글

공통 베이스와 이미터 증폭기의 정의와 회로분석을 통한 DC 바이어스와 소신호 등가모델을 통한 입출력 임피던스, 이득 등을 설명였습니다.

목차

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본문내용

0. 실험 제목 : 공통 베이스 및 이미터 플로어(공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기
1. 실험 목적 :1) 공통 베이스 및 이미터 플로어(공통 컬렉터) 증폭기의 직류와 교류
전압을 측정한다.
2) 전압 이득(),입력 임피던스(), 출력 임피던스()를 측정한다.
2. 관련 이론
공통 베이스 증폭기(CB)와 공통 컬렉터 증폭기(CC)의 정의
< 공통 컬렉터 트랜지스터 > < 공통 베이스 트랜지스터 >
이전 실험에서는 Emitter 부분이 AC적으로 Ground된 공통 이미터 트랜지스터를 살펴보았다. 이와 마찬가지로 위의 그림에서 확인해 볼 수 있듯이 공통 베이스 트랜지스터는 Base 부분이 , 공통 컬렉터 트랜지스터는 Collector 부분이 AC적으로 Ground 되어있다. 앞선 실험에서도 살펴보았지만 이러한 AC적 Ground는 신호의 입출력과 무관한 단자이고 DC 바이어스를 안정적으로 하기 위해 사용되어진다.
DC Bias 구하기
CE 트랜지스터 같은 순서로 이번 실험에는 CB, CC 트랜지스터의 DC Bias를 구하는 실험을 먼저 하게 된다. 아래의 회로들은 우리가 이번 실험에 실제로 구현하게 될 회로도이며 빨간 박스로 표시된 부분이 바로 DC Bias회로 부분이다. 그리고 DC Bias 전압은 전압분배, KCL, KVL을 이용하여 아래의 수식과 같이 쉽게 구할 수 있다.
1) CB 트랜지스터의 DC Bias
2) CC 트랜지스터의 DC Bias
소신호 저항 구하기
이번 실험에도 소신호 저항 를 구하는
과정이 있는데 이러한 소신호 전압 전류에
의한 저항을 구하기 위해서는 전류-전압
곡선의 접선의 기울기를 이용해야 한다.

참고 자료

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