반도체 공학 HDD Does량에 따른 도핑농도와 I-V 특성 프로젝트

소개글

반도체 공학에서 HDD Does 변화를 통해서 반도체 내에서 변화하는 것에 대해서 측정하였고 분석하였습니다.

목차

1. 설계목적

2. 설계조건

3. 가설설정

4. 최종 실험 결과

5. 결과 및 분석

본문내용

1. 설계 목적
- 전극에 이온을 주입할 때, 주입량과 Does량의 대한 변화 값 측정
- 주입량 변화에 따라, Dose량과의 변화가 있는지를 I-V 그래프로 살펴 보겠다.

5. 2차 검증 및 평가
- 4e15 보다 높아지면 도핑량 증가에 따라 도핑 농도가 올라간다.
- 4e15랑 같거나 낮아지면 도핑량은 변화가 없고 도핑농도가 낮아진다.
- 4e13 보다 낮아지면 도핑량과 도핑농도가 변화가 없다.

6. 3차 검증 및 평가
- 문턱전압이 기판의 5e15를 기준으로 하였을 때, 도핑농도가 증가함에 따라 VT값이 증가 또는 감소 하였고, 도핑농도가 감소 하였을 때, VT값이 대체로 감소하였으나 ,5e12에서는 증가 하는 현상이 있었다.
- 결론적으로 문턱전압에서는 우리의 예상결과와 달리 문턱전압과의 관계는 알 수 없었다.
- 이 최종 그래프를 통해서 알 수 있는 사실은,무엇보다도 문턱전압에서는 많은 차이가 없었지만, 내부저항에서는 도핑농도가 증가함에 따라 내부저항 Ron의 값이 감소함

참고 자료

없음