나노소재분석기기

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나노소재분석기기중 RHEED, LEED, Raman, ICP, AAS에 관한 레포트입니다.

목차

RHEED
LEED
Raman
ICP
AAS

본문내용

◎RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction)
RHEED는 수(10~50KeV)KeV 정도의 고에너지 전자빔을 시료의 표면에 저각(1~2°) 입사 하였을 때 나타나는 회절무늬로부터 결정 표면층에 존재하는 원자의 주기적 배열을 알아 내는 분석 장비이다. RHEED는 LEED에 비하여 여러 가지 장점을 가지고 있다. 매우 작은 입사각을 가진 고속전자의 회절을 이용하기 때문에 입사 방향에서의 매우 큰 분해능을 가지고 있어서 LEED 에서는 분해가 어려운 세밀한 표면구조도 정밀하게 밝힐 수 있다. 또한 RHEED 전자는 저속 전자에 비하여 고체와의 상호작용이 현저하게 작기 때문에 동력학적인 산란과정을 쉽게 다룰 수 있어서 회절강도의 입사각에 대한 의존으로부터 LEED에서는 I-V (Intensity -voltage) 측정을 통하여 매우 복잡하게 얻을 수 밖에 없는 단위세포 내의 원자들의 위치에 대한 정보도 상당히 손쉽게 얻을 수 있음이 알려져 있다. 더욱이 RHEED는 흡착과정을 동시에 관찰하는 일이 가능할뿐더러 상당히 높은 온도(500℃이상)에서 관측이 가능하기 때문에 높은 온도에서의 상전이 들의 관측에 적합하다. RHEED 회절상은 최근 Ichikawa 와 Ino가 구면상의 스크린을 사용하여 보인 바와 같이 표면의 2차원구조(2D)의 절보를 포함하고 있다. RHEED 회절상의 구조는 Ewald 구와 표면에 수직한 역격자 rod의 교 점으로 쉽게 이해할 수 있다.
옆의 그림에서 보는 바와 같이 회절된 beam은 Ewald 구와 역격자 rod가 교차하는 모든 α와 β의 각도에서 스크린상에 관찰된다.
다음 그림과 그래프는 15KeV 의 전자beam을 사용했을 때 (100)-GaAs 표면에서 나타난 RHEED pattern이다.
◎LEED(Low Energy Electron Diffraction)
LEED는 단결정표면의 구조 (Structure of single crystal surface) 를 연구하는데 있어

참고 자료

Inductively Coupled Plasma Spectrometer 기초 원리-EUROSCIENCE Co.,Ltd.
Sung Kyun Cho.
http://surface.skku.ac.kr/RHEED.html
http://spintronics.inha.ac.kr/publications/2008_KJMS_BLS.pdf
http://img.kisti.re.kr/originalView/originalView.jsp?url=/tr_img/1986001/bu21986123 10276.pdf
http://ocean.kisti.re.kr/is/mv/showPDF_ocean.jsp?pYear=2002&koi=KISTI1.1003%2FJ NL.JAKO200211921036567&sp=39&poid=kcs&kojic=SRMHCE&sVnc=v5n3&sFree=
http://web.mit.edu/spectroscopy/research/biomedresearch/Raman_blood.html
http://www.plus-sci.co.kr/product/ana/thermo/aas.htm
http://www.gla.ac.uk/departments/electronicsandelectricalengineering/research/mic ronanotechnology/molecularbeamepitaxy/facilities/
www.chemistry.adelaide.edu.au/ex.../icp.htm