[반도체] 에피택셜성장

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최초 등록일: 2002.09.13
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에피택셜 성장 (epitaxial growth)
기판 웨이퍼 위에 방향성을 가진 단결정막을 기르는 기술
고순도의 결정층을 형성하는 공정
웨이퍼보다 낮은 온도에서 성장

- CVD : 화학 기상 증착
- LPE : 용융액으로부터의 성장
- MBE : 진공에서의 원자의 증착

L P E 액상에피택시
Liquid Phase Epitaxy의 약자로 액상에피택시라고 합니다.

결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것

1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용되고 있습니다.

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