Atomic _badtags Deposition

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※ ALD(Atomic Layer Deposition) Technology
ALD기술은 반도체 제조 공정 중 화학적으로 달라붙는 단 원자층의 현상을 이용한 나노 박막 증착 기술이다. ALD기술은 CVD기술과 달리 반응 원료를 각각 분리하여 공급하는 방식으로 한 cycle 증착시에 표면 반응에 의해 Monolayer 이하의 박막이 성장하게 된다. ALD는 원자층 단위로 박막을 형성하는 첨단기술로 뛰어난 균일도의 극 박막 증착이 가능하기 때문에 나노급 반도체 제조의 필수적인 증착 기술로 주목 받고 있다.
ALD 기술에서의 반응은 그림 1. 에서 보는 바와 같이 먼저 AXn가 공급된 뒤 A 원소가 기판 위에 흡착하게 된다. 이 때 AXn 원료끼리의 흡착은 physisorption으로 이루어져 결합력이 약하기 때문에 쉽게 떨어질 수 있으며, 반면 기판과 흡착한 A 원소는 기판과 chemisorption으로 더 강한 결합을 하기 때문에 그 다음 단계인 purge 단계에서 physisorption한 반응 원료는 모두 떨어져 나가 제거되고 chemisorption한 A 원소는 흡착된 채로 남아 있게 된다. 이러한 chemisorption과 physisorption의 차이에 의해 ALD 기술에서 원자층 단위의 조절이 가능하게 된다. 이후에 AB 화합물을 만들기 위해 BYm를 공급하게 되면, BYm과 기판에 흡착되어 있는 A 원소가 서로 반응을 통해 A-B 결합이 이루어지게 되고 mY와 nX는 결합하여 부산물로서 기상으로 빠져나가게 된다. 마찬가지로 이후에 purge를 통해 physisorption하고 있는 BYm는 모두 제거되고 monolayer만큼 성장하게 된다. 이와 같은 과정이 한 cycle로 구성되며 증착 속도는 ligand의 size 효과로 인해 보통 cycle 당 monolayer 이하로 나타나는 특성을 보인다.
※ ALD의 Mechanism
다음의 원료 공급 주기를 반복하여 AB 고체 막을 원자층 증착법으로 형성하고 부산물인 XY 기체를 제거하는 과정을

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