MOS트랜지스터와 최적의 재료 탐색_전자재료물성론

소개글

MOS 트랜지스터에 대해서 기본개념을 제시하며

Si, Ge, Ga, As, InP 을 후보소재로 정하여 차례대로 정한 뒤에

MOS 트랜지스터의 차기 소재를 정하는 리포트입니다.

총 5장으로 구성되어 있구요.

목차

-서론
MOS 트랜지스터란?
트랜지스터의 발전동향

-본론
후보반도체물질 Si, Ge, Ga, As, ImP 의 장단점 조사.
최적의 반도체 재료 선정

본문내용

- 서론
[이론적 측면]
1. Mos 트랜지스터란?
Metal Oxid Semiconducter 의 약자로서 Mos 트랜지스터는 오늘날 가장 많이 사용되고 있는 트랜지스터로서 종류는 N형, P형, C형이 존재하고 있다. 이들의 공통적인 성질은 산화막에 의하여 전기적으로 절연된 게이트(GATE: 제어 목적으로 쓰이는 전극)에 전압을 걸어 전류의 통로를 제어하는 전기장효과트랜지스터(Field Effect Transistor)이다. 제조공정이 비교적 간단하고 전력소비가 적어서 대규모 집적에 적합하다. 처음에는 제조하기가 쉽다는 점에서 N형 실리콘을 기판으로 사용하는 PMOS형이 사용되었으나 동작속도가 느리기 때문에, 보다 고속인 NMOS형이 채용되기 시작하였다. 이후에 더욱 고사양의 조건으로서 VDSL 급이 제공되면서 N형과 P형의 옵션을 뛰어넘는 C형 Mos Transister가 등장하게 되었다.
Mos Transister의 내부 구조의 특징을 절연막에 있다. 실리콘 산화막(이산화규소)을 사용하기 때문에 기존의 트랜지스터가 지향하던 P형과 N형의 증착에 의한 트랜지스터의 제작과는 다르게 금속(M)-산화물 (O)-반도체 (S) 구조로 구성된다. 운반자를 내보내는 전극은 소스, 운반자를 받아들이는 전극은 드레인, 운반자 수를 제어하는 제3전극은 게이트라고 불린다.
또한, 현재 기술로서의 트랜지스터는 BJT와 FET으로 나뉘게 된다. 위에서 제시한 바가 있는 FET(전기장효과트랜지스터)의 경우는 존재하는 각 채널의 저항의 변화를 불러일으키기 때문에 다수의 정공을 컨트롤할 수 있는 것이 특징이다. 이를 통해서 BJT에 비해서 입출력에 대해서 저항이 매우 크다는 것이 그에 대한 원인이다.
이외에도 BJT와 MOSFET의 차이를 표를 이용해서 나타내자면 다음과 같다.

참고 자료

1. Mos Transister
http://migdream.co.kr/bbs/board.php?bo_table=mig_05&wr_id=8
2. Transiter의 사전적 의미
http://100.naver.com/100.nhn?docid=156375
3. 아이폰 사진 자료 인용
http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=105&oid=277&aid=0002388472
4. BJT와 MOSFET의 차이점
http://blog.daum.net/21th_vision/7083675
5. 원소의 기본 스펙
http://100.naver.com/
6. 갈륨과 비소의 정보
http://blog.daum.net/keyoice/13257164