[반도체] 반도체 CMP Process소개

등록일 2002.08.28 한글 (hwp) | 9페이지 | 가격 1,500원

목차

*Introduction to CMP Process

*Metal CMP

*Tungsten CMP

*CMP Slurries
1. Tungsten CMP 용 슬러리
2. Copper CMP용 슬러리

*Slurry Stability

*Post CMP Cleaner

본문내용

CMP 공정은 반도체 소자가 다층 배선 구조를 가지고 좀더 엄격한 광역 평탄화와 엄격한 초점 심도(Depth of Focus)를 요구하기 때문에 도입되었고 소자가 더욱 미세화되고 웨이퍼가 더욱 대형화 되기 때문에 CMP에 대한 수요는 급격히 증가할 것이다. CMP는 IBM에서 개발된 후 미국의 Intel, Motolora, TI 와 같은 반도체 제조 회사를 중심으로 연구 개발되고 있고 국내의대부분의 반도체 제조 공장에서도 도입되어 사용되고 있다. 광역 평탄화를 위한 절연막 CMP, STI 공정 그리고 다층 배선을 사용하기 위한 Metal CMP 공정이 도입되어 사용되고 있다. 1997년 IBM에 의하여 Damascene process를 이용하여 구리칩을 발표한 이후 구리칩 제조를 위한 공정의 개발이 열기를 띠고 있다. 구리를 금속배선으로 사용하는 경우 plasma를 이용한 etching이 불가능하기 때문에 CMP 공정이 없이는 Damascene 공정이 어려운 것으로 알려져 있다.
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