BJT transistor
- 최초 등록일
- 2010.12.22
- 최종 저작일
- 2010.11
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목차
Introduction
Theory
Procedure
본문내용
Introduction
BPJ 트랜지스터의 원리를 이해한 후 기본적 트랜지스터 회로를 이해하도록 한다. 그 후, Amplifier 회로를 만들어 ‘증폭‘을 직접 실험하여 이 으로 증폭되는 과정을 확인하고 이해한다.
Theory
트랜지스터는 증폭 작용과 스위칭 역할을 하는 반도체소자이다. 1948년 미국의 벨 연구소에서 월터 브래튼, 윌리엄 쇼클리, 존 바딘이 처음 만들었다. "변화하는 저항을 통한 신호 변환기(transfer of a signal through a varister 또는 transit resistor)"로부터 나온 조어이다.
트랜지스터는 크게 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistors:BJTs)와 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistors:FETs)로 구분된다. 트랜지스터는 보통 입력단, 공통단 그리고 출력단으로 구성되어 있다. 입력단과 공통단 사이에 전압 (FET)또는 전류(BJT)를 인가하면 공통단과 출력단 사이의 전기전도도가 증가하게 되고 이를 통해 그 들 사이의 전류흐름을 제어하게 된다. 아날로그, 디지털 회로에서 트랜지스터는 증폭기, 스위치, 논리회로, RAM 등을 구성하는 데 이용된다.
반도체의 대표적인 부품으로 사용되는 것은 실리콘이며 트랜지스터는 PNP와 NPN의 2 종류가 있으며 PNP형은 얇은 N형 반도체를 2개의 P형 반도체 사이에 끼우거나 반대로 N형 사이에 P형을 끼우는 것이다. 이 두가지의 접합을 한 것이 접합형 트랜지스터라고 하며 현재 쓰이는 것의 대부분이 이것이다.
참고 자료
Electronic Physics lab 4, 2010
Encyber, http://www.encyber.com/search_w/ctdetail.php?gs=ws&gd=&cd=&q=&p=&masterno=156375&contentno=156375
http://blog.naver.com/kkt3212?Redirect=Log&logNo=100045134157
http://blog.naver.com/earthshake?Redirect=Log&logNo=150031934867
http://jalbum.co.kr/xe/INFO/4450