기초전기실험 예비보고서(Curve tracer를 이용한 트랜지스터 특성 측정, 트랜지스터 바이어스 회로, 트랜지스터 증폭기의 특성, 트랜지스터 특성 변화의 영향)

소개글

전자공학-기초전기실험 예비 보고서 입니다.

목차

<실험의 목표>
<실험 과정>
12-1curve tracer를 이용한 트랜지스터 특성 측정과 Pspice모델 변수 추출
12-2트랜지스터 바이어스 회로 설계
12-3트랜지스터 증폭기의 특성측정
(1)동작점 구하기
(2)전압 이득과 전달 특성 구하기
12-4트랜지스터 특성 변화의 영향

본문내용

<실험의 목표>
1. 바이어스 회로와 트랜지스터 특성 변화에 따라 동작점이 매우 민감하게 바뀔 수 있음을 실험적으로 확인함으로써 트랜지스터의 특성이 변하여도 동작점이 거의 바뀌지 않는 트랜지스터 바이어스 회로 설계 능력을 기른다.
2. 트랜지스터의 Pspice모델을 이해함으로써 트랜지스터 회로를 Pspice로 해석하는 기초적인 능력을 배양한다. 아울러 트랜지스터의 직류, 대신호, 소신호 모델 및 등가회로에 대한 이해를 증진한다.
3. 트랜지스터 증폭기의 전압이득 등 주요 특성이 동작점에 따라 많이 달라질 수 있음을 확인함으로써 증폭기에서 동작점 설정의 중요성을 인식한다.

<실험 과정>
12-1curve tracer를 이용한 트랜지스터 특성 측정과 Pspice모델 변수 추출
1.curve tracer로 2N4124 npn트랜지스터의 측정을 측정한다.(컬렉터 전류의 최대값 2mA, 베이스전류스텝 간격1, 베이스전류스텝의 수10)
2.그림1에서와같이 =8V에서 자료1을 참조하여 전류이득을 구하여 표1을 완성한다.
3.Early voltage구하기:그림2와 같이=1mA근처의 출력곡선에서 가능한 멀리 뜰어진 두점의 좌표를 구한다음 자료2(early voltage구하는 예)와 같은 방식으로 Early voltage를 구한다.
4.역능동역역 특성 측정:그림3에서와 같이 컬렉터와 이미터 단자를 뒤바꾸고, 자료1을 이용하여 역능동역역에서의 특성을 측정하여 표2를 기록한다.

참고 자료

없음