[물리화학실험] 도체와 반도체 저항의 온도 의존도

등록일 2002.06.03 한글 (hwp) | 10페이지 | 가격 1,000원

목차

Abstract
Introdution
Experimental section
Result&Discussion
Conclusion
Reference
Apprendix

본문내용

Abstract : 전기전도도는 고체의 가장 확실한 전기적 특성의 척도이다.금속은 낮은 온도에서 좋은 도체가 된다.비금속은 반대로 온도가 높을 때 전도도를 가질 수도 있으나 온도가 낮아질수록 전도도가 감소한다.두 종류의 물질의 온도에 따른 전도도의 다른 경향은 전자 에너지 띠(band)의 채워짐을 보면 이해할 수 있다.금속의 경우 일부분만 채워진 띠와 그 위의 준위간에는 에너지 간격이 없다.전기장의 영향 아래서 띠의 맨위에 채워진 전자는 궤도 안으로 움직여 고체 안에서 알짜 운동을 가질 수 있으므로 전류가 흐른다.원자가띠(valence band)라 부르는 채워진 띠의 꼭대기와 전도띠(conduction band)라 부르는 채워지지 않은 띠의 바닥과의 에너지 차이를 띠간격(band gap)이라 한다.흡수 분광법을 이용하여 측정한 이온성 고체의 띠간격은 12eV이상이고 반도체의 띠간격은 수 eV이하이다.고체의 많은 성질은 전자가 바닥 상태에서 열적으로 들뜨게 되는 것과 관계가 있다.이와 같은 과정을 받아 들여 통계열역학적인 유도를 하면 다음의 Fermi-Dirac distribution을 얻을 수 있다.

참고 자료

① 대한화학회 - 물리화학실험 - 천문각 - 1999년 - P 108~111
② H.D.Crockford - 물리화학실험 - 탐구당 - 제2판 - p100~124
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