[반도체공정설계] Silvaco사의 T-CAD를 이용한 PN Diode 설계 자료입니다.

소개글

Silvaco사의 T-CAD를 이용한 PN Diode 설계 자료입니다.

아래의 목차에 나왔다 시피
설계 주제와 제한 조건, 관련 배경이론이 서론에 있고
설계 과정 및 결과에는
소스와 최종 결과물들이 모두 있습니다


Ⅰ. PN Diode
1. 설계주제
2. 설계 제한 조건
3. 배경이론

Ⅱ. 설계과정
1. 설계순서
2. 고찰

Ⅲ. 최종결과
1. 최종결과물
2. 특성그래프

Ⅳ. Reference

목차

Ⅰ. PN-Diode
1. 설계주제 1

2. 설계 제한 조건 1

3. 배경이론 1


Ⅱ. 설계과정
1. 설계순서 4

2. 고찰 7


Ⅲ. 최종결과
12


Ⅳ. Reference
15

본문내용

Ⅰ. PN-DIODE
1. 설계 주제
설계 제한 조건에 부합하는 PN구조를 가지는 PN Diode를 설계한다.

2. 설계 제한요건
- 가능한 leakage를 줄일 수 있도록 설계 (발표 시 설명 필요)
- 그 외 다른 제한 조건 없음

3. 배경이론
1) PN junction
PN junction을 생성하기 위하여 p-type과 n-type으로 각각 doping된 두 개의 결정을 물리적인 결합과 하나의 결정격자 구조로 결합되어야만 한다. 하나의 반도체 결정 내에 p-type과 n-type의 불순물을 각기 다른 부분에 첨가하여 p-type과 n-type 영역이 생기도록 하는 방법이다.

2) 바이어스 인가 시 PN junction
① 정방향 바이어스 시 PN junction
다이오드의 양단에 순방향 전압 V가 걸려서, 접합에 걸리는 전압이 Vo-V로 낮아지는 경우, 다수 캐리어가 낮아진 전위 장벽을 넘어서 확산해 갈 수 있는 확률은 지수 함수적으로 증가한다. 따라서 두 전류 성분 중에서 확산 전류 성분이 증가하여 결과적으로 전류의 흐름이 존재한다.

참고 자료

[1] 마이크로 전자회로 sedra smith 한티미디어
[2] 반도체 소자공정 기술의 기초 michel quirk 청문각
[3] http://www.circuitstoday.com/pn-junction-breakdown-characteristics
[4] http://www.mrl.columbia.edu/ntm/level1/ch05/html/l1c05s04.html