트랜지스터 증폭기 실험에 관한 레포트

소개글

MOSFET Transistor의 기본적인 특성을 이용하여 증폭기 회로에 대하여 실험하고 증폭의 원리를 이해한다. BJT의 다단 Amp를 구성하고 그 특성을 이해하여 본다.

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험준비물
5. 실험회로 분석 및 시뮬레이션
6. Analysis
7. Reference

본문내용

5. 실험회로 분석 및 시뮬레이션

1-1) 위의 회로에서 v_sig를 인가하지 않은 경우에 대해서 Vout이 4~5V 가량이 되도록 R_D값을 결정하시오. 실험을 통해 Vout 값을 측정하시오.

R_D 저항과 MOSFET 사이의 전압값을 V_D라고 하고, R_D에 흐르는 전류를 I_D라고 한다. 이때 V_D는 Vout을 의미한다. Vout을 5V가 된다고 가정하면 R_D 값은 아래와 같이 나타낼수 있다.
이 식에서 를 구하기 위해서는 의 값을 알아야 합니다. 값을 구하기 위해서는 MOSFET 증폭기의 경우 Saturation모드에서 동작하므로 MOSFET의 Saturation모드에서의 Drain에 흐르는 전류식
를 이용 할 수 있습니다. 여기서 , 값은 아래와 같이 피스파이스를 이용하여 구할 수 있습니다.

Diode Connection을 이용하기 위하여 왼쪽 그림과 같이 회로도를 만듭니다. 이때

라는 사실을 염두해 둬야 합니다.
그리고 Data sheet를 통하여 가 1mA 일경우의 값이 약 0.8v정도가 된다는 사실을 알수 있습니다. 이를 바탕으로 값을 구하면

이 됩니다.

또한


이를 통하여 R_D를 결정하면
가 됩니다.

Vout 값을 측정해본 결과 4.6091V 나음을 확인 할 수 있었습니다. Vout을 5V로 가정하였는데 4.6091V가 나오는 이유는 를 데이터시트에 있는 값을 사용하였지만 이 정확한 값이 아닌 범위값으로 적혀 있어서 부정확하였기 때문입니다.

참고 자료

① Microelectronic Circuits(마이크로 전자회로) / Adel S. Sedra,
Kenneth C. Smith / Oxford
② Electronic Devices & Circuit Theory 전자회로 / 허찬욱 저 / 보문당
③ Analog Circuit Design 아날로그 회로설계 / 기현철 저 / 두양사
④ 수정증보판 전자회로실험(Experiments for Basic Electronics Circuit)
/ 류장렬 저 / 보문당