BJT Transistor의 기본적인 특성을 이해하기 위한 실험 관련 레포트

소개글

Transistor의 기본적인 특성을 이용하여 증폭기 회로에 대하여 실험하고 증폭의 원리를 이해한다.

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험준비물
5. 실험회로 분석 및 시뮬레이션
6. Analysis
7. Conclusion
8. Reference

본문내용

5. 실험회로 분석 및 시뮬레이션
a) V_CC 값을 10V, V_BB값을 1V 정하고, 앞의 실험에서 측정한 소자의 특성을 이용여 구할수 있는 Load-Line을 이용하여 V_BE값이 0.72V가 되도록 R_B값을 결정하고, Base단에 흐르는 전류를 측정한다.
앞선 실험에서 구한 Load-Line의 기울기가 라는 것을 생각해보면 값을 줄여야지 값이 증가할 것이라는 것을 직관적으로 알수 있습니다.

이 값을 바탕으로 하여 가 되는 값을 구해봅니다.
이때 값은 앞선 실험 결과에 의하면 거의 변하지 않는 값이므로 0.033mA의 값을 이용합니다.
아래의 식을 이용하여 값을 구하면 아래와 같습니다.

계산 계산을 분석해 보면 값이 0.72가 되었을때 값이 더 낮아지고 있음을 알수 있습니다. 이것을 토대로 값이 낮아지면 값이 증가한다는 결론을 얻을 수 있습니다.

b) Collector 단의 전압값이 5.2V가 되도록 Collector단의 저항값 를 결정하고, a)와 b)에서 구한 값을 이용하여 값과 값이 0.72V, 5.2V가 되는 것을 실험으로 보이시오
앞선 실험의 데이터에서값이 변하지 않는다고 가정하고 값을 구하면 아래와 같습니다.

계산 계산을 분석해 보면 값이 9.15V이였을때 보다 5.12V로 하였을때 값이 더 커지고 있음을 알수 있습니다. 이것을 토대로 값이 높아지면 값이 낮아진다는 결론을 얻을수 있습니다.

위에서 구한 값과 값을 이용하여 회로를 구현하고 시뮬레이션을 실시하면 아래와 같습니다.

v_in의 경우 DC전원 분석시 불필요하기 때문에 제외하고 회로를 구성하였습니다.
소자값은 a)와 b)를 통해서 주어졌거나 계산을 통해서 얻어진 값을 바탕으로 시뮬레이션을 실시하였습니다.

참고 자료

① Microelectronic Circuits(마이크로 전자회로) / Adel S. Sedra,
Kenneth C. Smith / Oxford
② (컬러로배우는) 전자회로 / 신윤기 저 / 인터비젼
③ 전자회로실험 / 명기환, 최영일, 김일환 공저 / 도서출판 광명
④ Electronic Devices & Circuit Theory 전자회로 / 허찬욱 저 / 보문당