세미컨덕터

소개글

기초전기전자 실험의 세미컨덕터 결과보고서 입니다.
과목의 등급은 A+를 받았고, 직접 모든 사진과 출처를 게재하였고 이론을 타이핑 하였습니다. 많은 도움 되시길 바랍니다.

내용은 다이오드, 트랜지스터, 반전 비반전 증폭기에 대해 다루고 있습니다.

목차

1. 다이오드 특성 실험
(1) 다이오드의 정의
(2) 다이오드의 원리
(3) 다이오드의 종류
(4) 다이오드의 활용분야
(5) 다이오드 특성 실험 방법
(6) 다이오드 특성 실험 결과
(7) 결론 및 고찰

2. 트랜지스터 특성 실험
(1) 트랜지스터의 정의
(2) 트랜지스터의 원리
(3) 트랜지스터의 종류
(4) 트랜지스터의 특성
(5) 트랜지스터 특성 실험 방법
(6) 트랜지스터 특성 실험 결과
(7) 결론 및 고찰

3. 반전, 비반전 증폭기 실험
(1) 반전, 비반전 증폭기란?
(2) 반전, 비반전 증폭기의 원리
(3) 반전, 비반전 증폭기의 활용
(4) 반전, 비반전 증폭기의 오차
(5) 반전 증폭기 특성 실험 방법
(6) 반전 증폭기 특성 실험 결과
(7) 결론 및 고찰

본문내용

1. 다이오드 특성 실험

(1) 다이오드의 정의
다이오드(diode)는 반도체로 제일 처음 만들어진 소자이며 게르마늄이나 규소로 만들며 발광, 정류(교류를 직류로 변환) 특성 등을 지니는 반도체 소자를 말한다. 오직 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 2단자 소자이며 최초의 다이오드는 진공관으로 만들어졌다. 용도와 특성에 따라 정류용 다이오드, 제너 다이오드, 고주파용 다이오드, LED, 광 다이오드 등으로 분류된다. 기호의 의미는 (애노드) (캐소드)로 애노드측에서 캐소드측으로는 전류가 흐르는 것을 나타내고 있다. 다이오드 중에는 단지 순방향으로 전류가 흐르는 성질을 이용하는 것 이외에 많은 용도에 흔히 사용된다.


(2) 다이오드의 원리
p-n 접합형 다이오드의 동작원리는 다음과 같다. 그림2와 같이 전압E를 걸어줄 때, p쪽에 (+)를 n쪽에(-)전압을 걸어주는 경우를 순 바이어스 전압을 건다고 하고, 이 때 p층 내부영역의 hole은 n쪽으로, n층 내부의 전자는 p쪽으로 이동하고 외부 회로에는 순방향 전류 IA가 흐른다.
이 전류는 거의 IA = IS·eqV로 표시된다. 여기서 IS는 포화 전류로서 ,다이오드의 개별적 물성에 관한 항이며, 역방향 연결시의 포화누설전류이기도 하다. 또, q는 전자 혹은 hole의 전하량이고, V는 부가전압이다. 그림3은 역방향으로 전압 V(역 바이어스 전압)를 걸어 줄 때의 그림이고, p층 내의 hole 및 n층의 전자는 각각의 전극쪽으로 끌려간다.
이 결과 hole과 전자가 이동해 가버린 후의 빈 영역을 결핍층(depletion layer)이라 부른다. 이 층에는 전기전도에 기여할 수 있는 자유전하가 없고 마치 절연체와 같이 된다. 역방향 전류는 IA ≒ IS로 표시된다. 한편, 순방향과 역방향을 고려하지 않고 일반적인 다이오드의 정류특성은

참고 자료

없음