[전자정보용 고분자] 반도체용 저유전물질

등록일 2002.05.11 한글 (hwp) | 12페이지 | 가격 2,500원

목차

1. 유전상수의 정의
2. 유전상수를 구하는 방법
3. 반도체용 저유전물질의 요구물성 및 필요성
4. 화학증착법(CVD)을 이용한 저유전 물질
4-1. CVD에 의한 무기물 유전체
4-2. 기타 무기 CVD 유전체
4-3. CVD에 의한 유기 저유전체
5. Spin-On형 저유전체
5-1. Spin-On형 무기고분자 저유전체 (Spin-On Glass : SOG)
5-2. Spin-On형 유기고분자 저유전체
5-3. 혼성계, 유무기 하이브리드 및 다공성 물질
6. 결론 및 향후 추세

본문내용

1. 유전상수의 정의

유전상수(Dielectric Constant)란 유전체인 부도체에 전위차를 주었을 때 전자의 이동(즉 전류)은 존재하지 않고 분자분극에 의해서 외부전위의 반대 방향으로 분자들이 배열되는 정도의 척도이다. 이는 진동수와 전도도에 비례하는 양으로 유전상수의 제곱근이 흔히 우리가 알고 있는 굴절율이다. 이 유전상수는 반사도와 흡수계수를 측정함으로써 구할 수 있는데, 반사도는 다음과 같이 표현할 수 있다.

또한 흡수계수(흡수율)는 다음 식에 의해 계산될 수 있다.

여기서 c는 진공중 광속이며, 매질에 대한 파의 에너지 흡수율은 전도도에 비례한다.
매질경계면에서의 반사도와 매질의 전자기파에 대한 에너지 흡수율을 측정하면 매질의 굴절율을 구할 수 있고 또한 유전상수를 구할 수 있다.
즉 매질 내에서의 전자기파 속도는 다음과 같다.
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