반도체 제조공정의 이해

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반도체 제조공정의 프리젠테이션 자료입니다.

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목차

반도체의 이해
반도체 제조공정의 이해
반도체 공정의 세부이해

본문내용

Logic Devices
휘발성 메모리 제품 ( 컴퓨터메모리 등에 사용 )
EDO, SDR, DDR, DDR2, Graphic DRAM
휘발성 메모리 제품 ( 휴대폰 등에 사용 )
Pseudo SRAM , Slow SRAM
휘발성 메모리 제품 ( MP3,휴대폰 등에 사용)
Nor Flash , NAND Flash
LCD Panel을 구동하는 구동 IC
마이크로 제품으로
STB, Bluetooth, RF PLL, LIC 등이 있음.
빛 에너지를 전기적인 신호로 변환하는
역할을 하는 이미지 센서
반도체란?
양도체 : 전기와 열이 잘 통하는 물체 (양도체라고도 함.)
부도체 : 열이나 전기를 전혀 전하지 못하거나 잘 전하지 못하는 물체 절연체라고도 함.)
반도체(半導體) : 도체와 부도체의 중간 정도 되는 물체
半 + 導體



고온(800~1200도)산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면에 뿌려
실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시킨다. 산화막은 웨이퍼 위에 그려질 배선끼리 합선되지 않도록 구분해 준다.
배선간의 간격이 미세하기 때문에 합선이 될 경우가 많다
산화공정 (Oxidation Layering)
감광액을 웨이퍼 표면에 골고루 바른다.
그 다음 이를 살짝 구워서 Aligner 라고 불리는 사진 촬영장치로 보낸다. 이때부터 웨이퍼는 사진의 인화지 역할을 한다.
감광액 도포 (Photoresist Coating)
노광 (Stepper Exposure)
Stepper를 이용하여 Mask 위에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정.
(반도체 공정 중 매우 중요한 공정의 하나이며 특히 진동에 매우
민감하여 Basic Scheme시 이를 반영한다)
현상 공정 Bake)
일반 사진 현상과 동일 하다. 현상액을 웨이퍼 에 뿌리면 웨이퍼는
노광 과정에서 빛을 받은 부분과 받지 않는 부분으로 구별되는데
빛을 받은 부분의 현상액은 날라 가고 빛을 받지 않는 부분은
그대로 남는다.

참고 자료

없음