[전자회로실험] FET의 특성

등록일 2002.04.29 한글 (hwp) | 14페이지 | 가격 1,200원

목차

1. FET
1) FET의 종류

2. JFET
1) , 가 양(+)전위일 때
2) 일 때
3) 전달특성

3. MOSFET
(1) 공핍형 MOSFET
(3) 증가형 MOSFET

본문내용

1. FET
그림 1-a에서와 같이 BJT는 전류제어형 디바이스인 반면에 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET : junction field-effect transistor)는 그림 1-b에서와 같이 전압제어형 디바이스이다.
FET에는 n채널과 p채널 전계효과 트랜지스터가 있다. BJT는 바이폴라(bipolar)디바이스로 전류의 흐름이 2개의 전하캐리어, 즉 전자와 정공의 함수라는 것을 나타내고, FET는 단지 전자(n채널) 또는 정공(p채널)의 단일캐리어 전도에 의존하는 유니폴라(unipolar)디바이스다.

JFET와 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET : metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)의 두종류의 FET로 나뉘게 된다. MOSFET는 디지탈 컴퓨터용 집적회로의 설계와 제작에 사용되는 가장 중요한 디바이스 중의 하나이다. 즉, MOSFET는 온도 안정성과 다른 일반적인 특성 등으로 인해 컴퓨터 회로 설계에서 매우 유용한 디바이스이다.
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