[전파 전자] BJT & FET Transistor

등록일 2002.04.25 MS 파워포인트 (ppt) | 23페이지 | 가격 1,000원

소개글

VLSI Technology(BJT & FET Transistor)의 발표용 자료입니다.
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목차

직접 회로 제조 기술
GaAs
BJT(Bipolar Junction Transistor)
FET (Field Effect Transistor)

본문내용

GaAs
*장점
1.n-type GaAs 는 Si에 비하여 4~6배의 높은 이동도를 가짐
2.동일한 입력전력인가시에 비하여 높은 출력전력
높은 (Transconductance)
기생 capacitance에 의한 빠른 충전과 방전
빠른 이동도에 따라서 높은 주파수에서 유리
*단점
Thermal conductivity가 Si에 비해 안좋음

BJT(Bipolar Junction Transistor)
Transistor 개요
-작은 신호를 형태는 변하지 않으면서 진폭만 원하는
수준으로 키우는 전류증폭기
-컬렉터 전류(Ic)가 핀치오프전압에 이르면 컬렉터,이미터의 전압(VCE)에 영향을 받지 않는 정전류 소자
-회로에 트랜지스터를 삽입하여 회로의 전류는 제어하는 전류제어 소자
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