[전파,전자] GaAs를 이용한 반도체 소자

등록일 2002.04.25 MS 파워포인트 (ppt) | 24페이지 | 가격 1,000원

소개글

GaAs를 이용한 반도체 소자의 발표용 자료입니다.
많은 도움 되시길...

목차

GaAs
물질의 특성 비교
MESFET(Metal semiconductor FET)
HEMT(High Electron Mobility Transistor)
P-HEMT(Pseudo morphic High Electron mobility Transistor)
HEMT와 P-HEMP의 비교
HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor)
GaAs HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor)
SiGe HBT
소자의 비교

본문내용

물질의 특성 비교
-GaAs :빠른 전자이동도에도 불구하고 Thermal Conductivity 가 좋지 않음
-Si : 가격이 싸고 Thermal Conductivity가 좋으나
전자의 이동도가 GaAs에 못미침
-SiGe: GaAs보다 좀더 안정적인 프로세스가 가능하고
Si의 장점을 갖추고 있으며 가격이 저렴해 넓은
범위의 주파수에서 사용가능

참고 자료

RFIC & MMIC design
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