[반도체] 반도체소자 및 특성

등록일 2002.04.20 한글 (hwp) | 6페이지 | 가격 800원

목차

3.1 진성반도체(intrinsic semiconductor)
3.2 불순물 반도체(extrinsic semiconductor)

1.다이오드란?
2. 다이오드의 특성 곡선
3. 정류용, 스위칭용, 전압 안정용 다이오드
5. 다이오드 브리지

본문내용

3.1 진성반도체(intrinsic semiconductor)
- 불순물이 없는 순수 반도체
- 같은 수의 자유전자와 정공(positive hole)이 동시에 발생 하는 반도체
- Si, Ge
3.2 불순물 반도체(extrinsic semiconductor) : - 진성 반도체에 불순물(3가 혹은 5가 원소)을 첨가하면 도전성이 크게 향상된다.
① N형 반도체 : P, As, Sb 등의 5가의 원소를 첨가 => 도너(donor)라고 함
: N형 반도체의 대부분의 반송자(carrier)는 대부분 자유전자이다.
② P형 반도체 : B, Al, In 등의 3가 원소를 첨가 => 억셉터(acceptor)라 함
: P형 반도체의 반송자는 대부분 정공(hole)이다.
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