소개글
최근 유기 반도체에 대한 관심이 커 지면서 플렉서블 디스플레이 및 반도체에 관심이 많아지고 있다. 그 중 유기 박막 트랜지스터를 구동회로로 사용하여 풀 유기 시스템을 구현하는데 꼭 필요한 요소이다.
따라서 , OTFT의 기술 및 현재 동향을 알아보고자 한다.
목차
1. 정의 및 기본구조
2. 소자의 분석
3. 제작공정
4. 고찰
5. 참고문헌
본문내용
Transistor란 전하를 운반하는 캐리어를 제어하여 전압을 증폭하는 것
전계효과트랜지스터(FET)
- 반도체에서 전자의 흐름을 다른 전극으로 제어하는 전압 제어형 트랜지스터
TFT(Thin Film Transistor) : 절연성 기판위에 반도체 박막을 이용하여 만든 FET 소재 : 지금까지 비정질 실리콘이나 다결정 Si가 사용되어왔지만, 최근 유기물을 이용한 연구가 활성화
OTFT는 conduction channel이 무기 Si반도체가 아닌 유기반도체
1. 정의 및 기 본 구 조
What is OTFT?
장점
- 저렴한 공정 가능(용액공정)
- 연성기판 사용시 휨성가능
- 저가격화를 위한 연속공정(R2R)에 적합
- 낮은 공정온도 요구(100~120°C)
단점
- 타 TFT에 비해 낮은 이동도
응용분야
- 낮은 이동도에 적합한 회로모델
- 플렉서블 디스플레이
- RFID
- Smart card
OTFT의 특성 및 특징
*
ㅇ
2. 소 자 의 분 석
재료측면
높은 이동도를 나타내는 소재의 설계 및 합성
고유전율, 저 누설전류,
패터닝이 가능한 유전체 소재
높은 전도도를 띄는 유기 전도성 재료 개발
소자측면
유기박막의 성막 조건
저 누설전류 및 고이동도 소자구조
접촉 저항의 감소, 계면제어
소자의 안정성 및 내구성의 확보 등이 필요
재 료
Polythiophene
Pentacene
PTV(Polythienyleneviny)
*
2. 소 자 의 분 석
소 자 구 조
Bottom Contact
(Inverted coplanar)
Top Contact
(Inverted staggered)
OTFT의 2가지 대표적 형태로, inverted staggered(top contact) 형과 inverted coplanar(bottom contact) 형을 보여주고 있다. 탑컨택 형은 소스드레인 전극이 유기 반도체 박막 위에 위치하며, 일반적으로 bottom 컨택 형보다 높은 이동도 특성을 갖는다고 보고되고 있다.
이유는 bottom보다 컨택 저항이 적기 때문에 필드이펙트가 이동도가 더 좋다. Bottom 컨택 형은 소스드레인 전극이 유기 반도체 박막과 같은 평면(또는 아래)에 위치하며, 유기 반도체 박막을 형성하기 전에 리소그래피(lithography) 공정기술로 소스드레인 전극을 정밀하게 형상화할 수 있다는 장점이 있다.
*
참고 자료
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