실험14 MOSFET 특성실험 결과레포트

소개글

실험결과에 대해 충실히 분석한 레포트입니다.

이론과의 연관성과 이론에 대해 간략한 요약이 기재되어 있습니다.

관련 실험 레포트 작성시 참고자료로 이용하신다면

분명 좋은 참고자료가 되실거라고 생각합니다

목차

1. 실험결과 및 분석
2. 토의

본문내용

▲ 문턱전압 이상에서 VDS값에 따라 ID가 점점 증가하다가 어느 순간부터 일정해 지는 곡선을 그린다. VGS가 커질수록 곡선의 크기가 점점 증가하는 것을 볼 수 있다. 전류가 일정한 값을 가지기 시작하는 점을 pinch-off라 부르는데 이 지점이 VGS가 증가함에 따라 점점 왼쪽으로 밀려나가 pinch off점들을 이으면 빨간색 선과 같은 윤곽선을 그리게 된다. ID가 VDS와 VGS에 의해 제어된다는 것을 알 수 있다. 예측했던 것과 같은 전류 특성 곡선을 그렸으며 다만 실험에서 드레인 전류가 조금씩 증가하는 것은 channel length modulation(channel length가 pinch off이후에 계속 감소하지만 전류가 차단되지 않고 흘러 이론적으로 일정한 구간에서도 조금씩 증가하는 현상) 로 인한 결과로 보인다.

(3) 표14-3. 소스 공통 증폭기 측정
▲입출력 파형의 위상이 180º바뀐다. 입력전압에 비해 출력전압이 약 2배 정도 높아, amplifier의 기능을 한다고 볼 수 있다.
전압이득 = Vout/Vin

2. 토의
MOSFET은 JFET와 같이 게이트 전압에 의해 전류 ID를 제어할 수 있다. MOSFET은 종류에 따라 증가형과 공핍형으로 나뉘는데 증가형의 경우 게이트 단자에 양의 전압이 인가되면, 드레인과 소스사이에 음의 전하가 유도되어 채널이 형성, 전류가 흐르는데, 이때 채널은 최소전압인 문턱전압문 넘을 때부터 형성되기 시작한다.

참고 자료

없음