휘트스톤 브릿지

소개글

본 레포트는 전자공학과 2학년 1학기 기초전자공학실험1 실험 과목의 결과 레포트이며 예비레포트의 모든 시뮬레이션 과정까지 포함되었음을 알려드립니다.
해당 과목의 점수는 A+를 받았으며 사진과 함께 실험 결과 분석까지 상세하게 설명되어 있으니 한번 받으시면 실험에 많은 도움이 될 것이라고 생각합니다. 강력히 추천해요~

목차

1. Title
2. Name
3. Abstract
4. Background
5. Simulation
6. Experimental Results
7. Analysis
8. Appendix

본문내용

1. Title
휘트스톤 브리지 회로

2. Name


3. Abstract
휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정 방법을 실험한다.

4. Background
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형 상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로로, 알고 있는 저항을 이용하여 미지의 저항을 정밀하게 측정하는 장치이다.. 그림 6.1과 같은 회로에서 만약 A점과 B점 사이에 전위차가 없으면 전류의 흐름을 감지할 수 있는 검류계(Galvanometer) G에는 전류가 흐르지 않는다. 즉, 회로는 평형 상태에 도달한다. 이러한 평형 상태를 이용하여 R1, R2, R3의 값으로부터 미지의 저항값 X를 알 수 있다. 그 원리는 다음과 같다. 그림 6.1에서 R3을 적절히 조절하면 A, B 점의 전위치가 ‘0’이 되었다고 가정하자. 즉, 검류계 G의 지시가 ‘0’이 되었다면 A, B 점의 전위차가 0이므로 다음의 식이 성립한다.

중략..

7. Analysis
대부분의 실험에서 크고 작은 오차가 생겼지만 전압, 전류 분배의 법칙, 옴의 법칙에서
벗어나지 않는 결과가 나왔다.
시뮬레이션에서의 전압, 저항값 설정과 실제 실험에서 사용된 전압 저항 값은 달랐지만,
값들 사이에 같은 법칙이 적용됨을 확인하였고, 계획된 대로 실험이 진행되었음을 확인했다.

오차의 원인으로는 다음 항목들이 생각된다.
1. 기기의 측정정밀도의 한계
2. 저항의 표기된 값과 실제 값과의 차이 (모두 마지막 띠가 금색 이었으므로 10%)
3. 실험이 계속되면서 저항에서 열이 발생함에 따라 저항의 크기가 커짐.
실제로 모든 저항이 (저항의 표시된 값 > 멀티미터를 이용한 저항 측정값) 이었음에도
불구하고 많은 실험에서 따라 계산한 저항 값이 이론값보다 크게 나왔다.
다음 실험부터는 값을 측정할 때만 전원장치를 켜서 저항에 열이 발생하는 것을 방지 하고
측정 중간 중간 열을 식히면서 실험을 진행해야 하겠다.

참고 자료

전기전자기초실험서 - 대한전자공학회-
대학물리학 -Huge D. Young, Roger A, Freedman -