Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

소개글

pmcm메모리의 구동원리 및 전문적인 내용과 차세대메모리 내용

목차

1. PMCM의 특징 및 작동 원리
2. PMCM 소자 제조 공정
3. 차세대메모리 산업의 동향조사

본문내용

1. PMCM의 특징 및 작동 원리

PMCM(Programmable Metallization Cell memory)은 근본적으로 현재의 모든 메모리 기술과 최신기술로부터 출발한다.PMCM은 비휘발성 저항특성을 얻기 위해 Ag또는 Cu가 첨가된 칼코게나이드 유리질을 사용한다. 최근메모리 소자는 초고집적화,초소형화에 따라 bit당 cost삭감이라는 시장성의 문제에 부딪히게 되었다.그러나 PMCM은 현재 ITRS (International Technology Roadmap Semiconductors)에서 제기하고 있는 메모리 scaling문제를 해결 할 수 있는 방법이기도 하다.PMCM의 구조는 간단하고 매우 효과적인 비휘발성 메모리이며 그 제조에 있어서 기존의 초소형 트렌지스터를 제조하는 기술 공정과 크게 다르지 아니하여 기존의 기술 및 공정과의 연계가 가능하고 구조 또한 매우 간단하다. PMCM 의 특징들을 살펴보면 다음과 같다.

PMCM은 미래에 요구하는 메모리 특성들을 갖추고 있다.
① 낮은 동작 전류 (< 0.3V )
② 빠른 읽기 & 쓰기 속도 (< 30ns)
③ 상태변화를 시키는데 필요한 낮은 에너지 (<1pJ)
④ 수십 나노 크기로의 물리적 스케일
⑤ 기존 IC 회로와의 논리적 연계 가능
⑥ 비휘발성,내구성 우수
⑦ Multi-bit가능

적정한 양의 Ag를 칼코게나이드 유리질에 용해시키게 되면,높은 이온 이동도를 갖는 액체 전해질처럼 거동하는 3성분계 구조를 이루게 되고 이 물질은 다양한 전기적 특성을 보이게 된다.3성분계에서도 GeSeAg(1-5)와 GeSAg(6-8)가 많이 연구 되고 있다.고유의 높은 비저항을 갖는 비정질 상태의 고체전해질에서 Ag 이온의 산화.환원이 매우 빠른 속도로 일어나면서 link되어 낮은 비저항 상태로 switching될 수 있다.고체 전해질에 순방향 바이어스를 걸어주면 Ag이온이 환원되어 전해질 내부에 Aglink를 형성하게 되어 낮은 저항 상태를 갖게 된다.9) 이 Ag link는 상부 전극과 하부 전극 사이에 ohmic contact을 형성하게 되어 conducting link로 거동하게 되고 소자의 저항은 낮은 상태로 바꿔준다.또한 역 바이

참고 자료

없음