반도체공정기술

소개글

반도체공학-공정과정

목차

1.공통용어
2.PHOTO용어
3.ETCH용어
4.DIFFUSION/IMPLANT용어
5.METAL/CVD용어
6.PKG관련용어
7.TEST용어

본문내용

2.PHOTO용어
․STEEPER:사진 노광 장치의 일종으로 Mask or Reticle의 Pattern을 광학 Lense를 이용 wafer
위에 축소 노광하여 전사하는 방식
․MASK:IC제작을 위해 각 Layer별 회로 Pattern이 그려진 유리판으로 각 Pattern은 빛을 막는
불투명지역과 빛을 통과시키는 부분으로 구분되며 Mask상의 Pattern을 Wafer위에 옮겨
소자를 제작한다.
․ALIGN:스테퍼 등에서 전 마스크 패턴과 현 마스크 패턴을 정확하게 중첩하는 것.
․BAKE:감광제 도포후 열에 굽는 것으로 ETCH나 DEVEROP시 감광제의 접착력을 증가시키기
위함인데 HARD와 SOFT BAKE가 있다.
․COATIG:Wafer위에 감광제를 도포하는 것.
․CONTACT:적층되어 있는 전도층들을 연결히켜 주기 위하여 절연물에 구멍을 뚫는 것을 말함.
․DEVEROP:정렬(ALIGN)및 노광(EXPOSURE)후 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요없는 부분을
구분하여 상을 형성하기 위해 일정 부위의 PR을 제거하는 것.
․EXPOSURE:정렬이 끝나면 MASK의 상이 Wafer에 옮겨지도록 자외선에 감광제를 노출시키는
공정을 말하며 정렬과 노광을 동시작업으로 진행함.
․PHOTO RESIST(PR):감광성 수지를 말하며 구성성분은 Polymer,Solvent,Sensitizer로 대표되며
현상되는 형태에 따라 양성과 음성으로 나눈다.
양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우 Polymer에
의해서 특징 지워진다.
미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이
좋으며 내선성이 좋고 자외선등에 대해 감도가 좋아야 한다.
종류로는 - Positive PR : 빛을 받은 부분이 Deverop됨.
Negative PR : 빛을 안받은 부분이 Develop됨.


3.ETCH용어
․DRY ETCH:Gas나 Plasma, Beam등을 이용하여 행해지는 일련의 식각 공정을 통틀어 일컫는 말.
․Wet ETCH:반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공약품(액체,
기체)을 이용하여 식각하는 방법
․END POINT:ETCH가 끝나는 순간
․ETCH DAMAGE:식각시 식각대상막의 아래층 막을 과도 식각하여 이상이 생기는 현상
․FI CD:식각하고 난 후의 선폭(Final inspection CD)
․INSPECTION:공정전후 Wafer의 상태를 확인함에 있어 육안검사, 현미경검사, SEM검사등이 있다.
․OVER ETCH:식각 종료점이나 나타난 후에도 Wafer전면의 박막두께 균일성을 고려하여 어느
정도의 식각을 더해주는 것을 말한다. UNDER ETCH의 반대
․UNDER ETCH:원하는 두께보다 적게 식각되는 것.
․BLAS:식각시 PR패턴의 임계치수 값과 식각 후의 값 간의 차이

참고 자료

없음