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최초 등록일
2009.08.28
최종 저작일
2009.08
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소개글

MOS의 원리, MOS의 제조공정과 CMOS의 원리, CMOS의 인터페이스 및 논리계열의 특징 분석

목차

Ⅰ. MOS의 원리

Ⅱ. MOS의 제조공정

Ⅲ. CMOS의 원리

Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface

Ⅴ. 논리계열의 특징

참고문헌

본문내용

Ⅰ. MOS의 원리
우선 구조는 한 쪽에 절연층을 가진 반도체를 두 개의 전극 사이에 끼운 모양이다. 여기서 금속 전극은 게이트로 부르고, 산화막은 SiO2로 절연체이다. 그리고 반도체는 n형 또는 p형 반도체로 이미지 센서에서는 p형을 사용한다. 위의 구조는 전극 사이에 SiO2가 낀 커패시터로 간주할 수 있다. 게이트에 부전압을 인가했을 때의 경우 반도체에 걸린 전계 때문에 정공은 위로 이동하여 SiO2표면 가까운 곳의 정공 밀도가 높아지게 된다. 따라서 평행판 커패시터와 같은 형태가 된다. 이 상태를 축적상태라고 한다.
다음은 게이트에 정전압이 인가된 경우를 생각해 보자. 이 때 정공은 전계에 의해 아래로 이동하여 SiO2 표면 가까운 곳에는 정공 밀도가 떨어져 공핍 상태가 된다. 이 상태에서 전압이 계속 높아지면 공핍층은 점점 넓어지다가, 어느 정도에서 확장을 멈추게 된다. 이 때 만일 열 또는 빛에 의해 전자가 여기 되거나, 외부에서 전가가 주입되면 SiO2 표면에 전자가 모이게 되고 n 채널을 형성하게 된다. 이 상태를 반전 상태라고 한다. 이 때 등전위를 연결하는 선을 그리면 마치 용기 모양이 되고 이를 전위 우물이라고 한다. 이 등전위선이 포함하는 면적이 넓을수록 많은 전자를 담게 된다.

Ⅱ. MOS의 제조공정
CVD과정은 전체 웨이퍼 표면에 질화규소(Si3N4)의 얇은층을 부착시킨다. 첫 번째 사진평판 단계는 형성될 트랜지스터의 면적을 결정한다. 질화규소는 화학 부식에 의해 트랜지스터면의 외부를 제거한다. 붕소(P형)이온들은 트랜지스터자리 사이의 원하지 않는 전도를 억제하기 위해 노출된 영역에 주입된다.

참고 자료

◎ 공진흥·김남영·김동욱·이재철, VLSI 설계, 이론과 실습
◎ 디지털회로 및 시스템, 문운당
◎ 디지털 공학, 동일출판사
◎ 박효균, 소자 및 회로의 전기적 특성PPT
◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리

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