리소그래피 개요및 이론 및 공정 에대한 설명

소개글

리소그래피 개요및 이론 및 공정 에대한 설명

목차

1. 개요 및 응용분야
2. 이 론 / 공 정

본문내용

미세 가공 기술 개발의 선두에 있는 DRAM 기술에 있어서 리소그래피 기술은 항상 전체 기술의 개발을 좌우하는 중요한 요인이 되어 왔다. 현재 리소그래피 기술에 있어서 주된 관심사는 광학 장비의 사용 한계에 대한 것이다. 우선 248nm의 파장을 가지는 KrF 장비의 한계는 어디까지인가 하는 것이다.
최소 선폭 0.15㎛의 형성은 이미 가능하다는 것이 보고되어 있고, 0.13㎛까지는 적용 가능할 것으로 판단되고 있다. 193nm의 파장을 가지는 ArF 장비는 0.13㎛부터 등장해서 0.10㎛ 기술에서부터 주된 리소그래피 장비가 될 전망이다. 비광학 장비의 등장은 아직 풀어야 할 과제가 많은 관계로 실용화는 아직 전망이 이르다. 광학 장비의 축적된 경험 등에 의해 파장이 더욱 줄어든 광학 장비의 개발이 비광학 장비에 비해 선호될 가능성이 있는데, 157nm의 F2[3] 및 126nm의 Ar[4] 장비가 주목받고 있다.
Giga Bit 시대의 리소그래피 기술은 장비나 마스크 자체만의 기술이 아닌 집적 공정 전반의 기술적 검토를 필요로 하고 있다. 광학적 해상도와 반비례의 관계를 가지는 초점심도(DOF, Depth of Focus) 문제의 경우, 반도체 기판 자체의 평탄화를 도모하기 위해 화학적 기계적 연마(CMP, Ch-emical Mechanical Polishing) 공정을 광범위하게 사용하거나, 다층의 감광막을 사용하여 광학계가 느끼는 기판 단차를 줄여주는 방법이 이용되고 있다.
다른 한편으로는, 무반사막(ARC, Anti-Reflecting Coating/Layer)의 사용이 필수 요소로 등장하고 있다. 레이아웃에 있어서도, 인접 패턴간의 상호 작용에 의한 패터닝 왜곡을 미리 보상하여 주는 OPC(Optical Proximity Correction) 기술의 도입이 필수적인 것으로 판단되며, 초기 단계의 상업화된 소프트웨어의 이용도 이루어지고 있다.
리소그래피(lithography)는 시스템 집적 반도체를 포함한 기억소자와 마이크로 프로세서 (micro processor)등의 실리콘 소자 뿐만 아니라 화합물 소자나 thin film disk head, ink jet printer head 그리고 LCD 및 MEMS(micro-electro-mechanical system) 등을 만들기 위한 매우 중요한 기술이다. 특히 리소그래피 공정은 전체 반도체 제조 공정의 약 35%를 차지하는 제일 중요한 기술로서, 반도체 집적소자의 초 고집적화 및 이를 위한 초미세화 기술을 이끌어 가고 있다.

참고 자료

없음