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소개글

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목차

▶ CVD(chemical vapor deposition)
▷ CVD의 정의
▷ CVD의 종류
① AP CVD (Atmospherc Pressure Chemical Vapor Deposition)
② LP CVD (Low Pressure Chmical Vapor Deposition)
③ PE CVD (Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)
▶ CVD의 특징
▶ P V D(physical vapor deposition)

본문내용

▶ CVD(chemical vapor deposition)

▷ CVD의 정의

박막과학과 기술은 중요한 산업으로 성장해 왔으며, 많은 연구의 대상이 되어왔다. 이유는 박막이 반도체의 제조에 중요하기 때문이다. 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 어떤 형태로든 최종적으로 기판에 남아 제품의 신뢰성에 깊이 관여하게 된다. 표면위로의 물질의 수송과 증착에 있어서의 과정에 대한 근본적인 이해와 정교한 기술의 개발을 통하여 많은 다른 산업에서 요구되는 수준의 박막증착이 이루어지고 있으며 개선되어지고 있다.
이러한 박막증착 방법 중 에서 무엇보다도 CVD (Chemical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다. CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다. 일반적으로 이러한 변수들이 증착되는 원자의 표면이동속도에 영향을 미침으로써 막의 구조나 성질에 영향을 미친다. 다른 많은 박막제조공정과 비교해 볼 때, CVD는 다양성, 적용성, 제품의 품질, 단순성, 재활용성, 생산성, 가격문제 등에서 매우 큰 장점을 가지고 있다. 이러한 이유로 CVD는 고체 소자의 제조에 있어서 그 활동영역을 크게 확장시켜왔다. CVD 공정은 여러 가지 방법으로 분류될 수 있는데, 먼저 사용되는 반응의 활성화 에너지원에 따라 thermally-activated CVD , plasma-enhanced CVD, photochemical CVD, laser-induced CVD, and electron-beam assisted CVD로 분류될 수 있다.

참고 자료

없음