[물리실험] 반도체 다이오드의 특성

등록일 2002.02.06 한글 (hwp) | 4페이지 | 가격 1,000원

소개글

이해를 돕기위해
많은 <그림>화일도 첨부했습니다
다른 물리실험자료를 원하시면
<물리실험>치시면 됩니다..시리즈로 올렸거든요..

목차

1. 목적
2. 이론
3. 실험방법
4. 참고문헌

본문내용

1. 목적
반도체 다이오드 (p-n접합형)의 순방향 정류 특성을 측정함과 동시에 정류작용의 원리를 이해하는데 본 실험의 목적이 있다.

2. 이론
다이오드(diode)란 말은 정류기가 두 개의 단자(terminal) 혹은 전극을 가졌다는데서 유래한 것이다. 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 IV족 원소로서 이들 원소의 각 원자는 이웃 4원자의 4개의 전자를 공유하는 결정구조를 가진다. 안티몬(Sb), 아세닉(As), 인(P) 등의 V족 원소의 원자들은 5개의 원자가 전자를 가지고 있으며, 이 중 4개만 결정 구성에 쓰여지고 1개의 여분의 전자가 남게 되어 결정에 전위를 걸어 주면 비교적 자유로이 이동하게 된다. 결정내의 IV족 원소의 원자들은 각각 1개의 전자를 잃어 양이온이 된다. 이와 같이 V족의 불순물이 첨가된 반도체를 n형 반도체라 하며 이런한 결정에서 전류는 음전하의 이동으로 구성된다.

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