[반도체]direct/indirect band gap(밴드갭)
- 최초 등록일
- 2009.06.09
- 최종 저작일
- 2003.01
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소개글
direct band gap과 indirect band gap의 특징과 optical band gap의 측정법을 소개
목차
1.direct band gap과 indirect band gap의 특징
2.optical band gap의 측정
본문내용
Direct & indirect transition semiconductor 특징
solid에서 absorption process는 그 유형에 따라 5가지로 나뉜다. 이중 valence band에서 conduction band로의 transition을 band-to-band transition이라고 하며 material의 fundamental absorption edge의 원인이 되고, 이 process는 크게 2가지로 나뉜다. 가장 핵심적인 기준은 다음과 같다.
Direct transition : transition에 오직 photon만이 관여한다.
Indirect transition : transition에 photon과 phonon이 같이 참여한다.
Direct transition과 indirect transition의 E vs K plot을 각각 살펴보면
먼저 direct transition의 경우 energy conservation은
ħwpt = EGd + ħ2k02 / 2m*r
여기서 ħwpt은 photon energy이며 EGd은 direct band gap, k0은 optical transition이 일어난 k값, m*r은 reduced mass이다.
momentum conservation은
Δk = Kpt ≈ 0
여기서 Kpt는 photon wave vector이다. 즉 photon 흡수에 의한 전자의momentum 변화량은 매우 작아서 무시할 수 있고 direct optical transition은 위의 그림과 같이 valence band에서 conduction band로의 수직선으로 나타내질 수 있다.
참고 자료
없음