[강유전체 재료] FRAM의 원리

등록일 2002.01.30 MS 워드 (doc) | 11페이지 | 가격 1,000원

소개글

대학원1학기에 처음으로 한 세미나 발표 보고소 입니다.
미흡한 점이 있더라도 잘 봐 주세요.

목차

1. 강유전체 메모리
2-1. 강유전체 재료
2-2. FRAM 재료
2-3. FRAM의 기본원리
2-4. FRAM의 종류
2-5. 타메모리와의 비교
2-6. 박막의 필요성과 방법
3. 결론

본문내용

1.강유전체 메모리 (FRAM)이란?
우리가 생각하는 이상적인 메모리란 대용량으로 고속동작이 가능하고 비휘발성이어야 한다. 하지만 DRAM은 대용량으로 제작이 가능하고 전기적으로 쓰고 지울 수 있으며 하드디스크처럼 회전기나 헤드부분 등이 필요치 않아 소형화와 전자화에 적합하나 전원을 끊으면 정보가 모두 지워지는 비휘발성의 결점을 갖고 있다. 따라서 저전압에서 고속 Random Access 동작을 할 수 있으면서도 전원을 꺼도 저장 내용이 지워지지 않는 비휘발성 특성을 갖는 메모리가 필요하다.
FRAM 이란 Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의
DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자이다. 강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리이며, 읽기 쓰기가 모두 가능한 메모리로 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 특성을 다 가지고 있음.
2-1. 강유전체 재료
강유전체는 오래전부터 알려진 재료로서 공업적으로는 전기.전자회로의 주요소자인 이용되어 왔고, 최근 반도체 산업 분야에서도 강유전체가 갖는 특성을 메모리 동작에 응용하고 있다.
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