[반도체] 갈륨아세나이드

등록일 2001.12.27 한글 (hwp) | 7페이지 | 가격 300원

목차

CHAP 4, GALLIUM ARSENIDE.

PROCESS
INGORT GROWING
WAFER PROCESSING
EPITAXIAL GROWTH
DEXICE FABRICATION
HAZARD
TOXICOLOGY
HAZARD ASSESSMENT AND CONTROL

EARLY DETECTION OF OCCUPATIONAL DZ.
비소와 그의 독성화학 물질에 의한 질환

본문내용

지난 20년동안 sikicon은 내장회로에 1차적인 반도체 성분으로 사용되었다.그러나 다양한 통신망과 군사적 목적을 위한 빠른 속도를 요구하는 제품들이 요구되게 되었고 특히 주기표의 3과 5군에 속하는 화합물에 대한 관심이 반도체의 변종들에 대한 관심이 집중되게 되었으며 GAAS의 결합에너지 구조는 고속의 실리콘 제품에 비하여 빠른 속도의 전자와 낮은 산란력을 가능케 한다.GAAS의 substrate물질은 보다 넓은 범위의 온도에서 조작이 가는하고 방사능에 저항력이나 특히 원자 교환시에 전달력의 존재는 우주나 군사적 목적에 중요한 특성이다.군사적 목적의 우주 경유 수신은 실리콘 보다는 GAAS로 부터 제작되고 그이유는 GAAS는 micrwave frequence에 보다 좋은 반도체이기때문이다.1984년에 9400백만$의 판매된것에 2/3는 군사용이며 DEFENCE ADVANCE RESEARCH PROJECTS AGENCY가 GAAS연구의 제 1의 후원회이다.

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