[반도체공정] NMOS 공정

등록일 2001.11.11 MS 파워포인트 (ppt) | 30페이지 | 가격 1,000원

목차

MOS 트랜지스터
NMOS Fabrication Process
Base Oxidation
Nitride Deposition
Nitride Deposition
Active Area (Photolithography & Etching )
Field Implantation
Drive-In Oxidation
.
.
Completion Of NMOS fabrication

본문내용

MOS 트랜지스터
MOS트랜지스터는 산화막에 의하여 전기적으로 절연된 게이트(GATE:제어 목적으로 쓰이는 전극)에 전압을 걸어 전류의 통로를 제어하는 전기장효과트랜지스터(Field Effect Transistor)이다.
제조공정이 비교적 간단하고 전력소비가 적어서 대규모 집적에 적합하다.
초기에는 제조하기가 쉽다는 점에서 N형 실리콘을 기판으로 사용하는 PMOS형이 사용되었으나 NMOS형이 채용되기 시작하였다. 이것은 P형 실리콘을 기판으로 사용한다.
VLSI급 이상에서는 NMOS형이라 해도 전력소비가 많으므로, 이들을 조합한 형태의 보다 고속이고 전력소비가 적은 CMOS형이 주류를 이루고 있다.
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