[fram] FeRAM응용을 위한 RMnO3박막 특성 연구

등록일 2001.11.06 한글 (hwp) | 30페이지 | 가격 3,000원

목차

표 목차
그림 목차
국문 요약
제 1 장. 서 론
제 2 장. FeRAM
2.1. FeRAM의 특성
2.2. FeRAM의 구조 및 동작원리
제 3 장. RMnO3 박막
3.1. RMnO3의 특성과 구조
3.2. RMnO3의 자성구조
3.3. RMnO3의 결정학적구조
3.4. YMnO3 특성 및 결정구조
제 4 장. Y2O3 박막
4.1. MFIS 구조를 위한 Y2O3 박막의 특성
4.2. Sequioxides(R2O3, R: rare earth) 결정구조
4.3. Y2O3 박막과 SiO2
4.4. Y2O3 상의 열역학적 성질과 Yttrium-Oxygen 상평형도
제 5 장. 결 론
참고 문헌
Abstract

본문내용

최근에 비휘발성, 빠른 읽기 쓰기 속도, 낮은 구동 전압 등 다양한 장점을 가진 강유전체 비휘발성 기억소자에 대한 관심이 많아지고 있다. 그중 Ferroelectric RMnO3(R: rare earth) 박막은 비휘발성 메모리 소자로 사용되기 위한 재료로서 제안되어졌다. 그들은 특별히 Metal-Ferroelectric-Semiconductor(MFS) 와 Metal- Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor(MFIS-FET) 소자를 위한 우수한 재료로 생각되어졌다. 왜냐하면 RMnO3박막은 단일 분극 축(0001)을 가지며, 성분원소의 무게가 무겁고, 쉽게 산화된 원소를 포함하며, Bi 와 Pb와 같은 휘발성 원소들을 포함하지 않고 낮은 유전상수 값을 갖기 때문이다. 특히 Y2O3 박막은 Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor(MFIS)구조에서 기존의 유전체 재료인 SiO2가 갖는 소자의 불안정성, 정전용량의 감소 그리고 메모리 스위칭 전압 증가의 문제점에 대한 적합한 대체물 중의 하나로서 고려되어지고 있다. 또한 Y2O3 박막은 높은 유전상수와 좋은 열적 안정성의 특성으로 인해 전기적 응용에 있어 큰 잠재력을 가지고 있다.

참고 자료

There have been a lot of interests in ferroelectric non-volatile memory device with many merits, i.e., non-volatility, fast read-write speed, low operating voltage, etc.
Recently ferroelectric RMnO3(R: rare earth) thin films have been proposed as another material for use in non-volatile memory devices. They are believed to be an excellent material, particularly for metal-ferroelectric- semiconductor (MFS) and metal-ferroelectric-insulator-semiconductor field-effect transistor (MFIS-FET) devices, because RMnO3 thin films have only one polarization axis(0001), contain heavy and easily-oxidized elements, do not contain volatile elements such as Bi and Pb and have low dielectric permittivity. Especially, In the metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) structure, Y2O3 films have been considered as one of the suitable alternatives to the conventional dielectric material SiO2 that is containing some problems of device instability, capacitance reduction, and increasing memory-switching voltage. In addition, Y2O3 films have great potential for electrical applications because of their characteristics of high dielectric constants and good thermal stabilities. Therefore, We studied about properties of RMnO3 and the Y2O3 thin film on Si as buffer layer for ferroelectric random access memory (FeRAM) application.
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