반도체의 제조공정

*항*

최초 등록일: 2001.08.06
최종 저작일: 2001.08; 11페이지/ 한컴오피스; 가격 1,000원

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실리콘(Si)의 경우, 넓은 Device의 Bandgap(1.12eV)으로 인해 약 200도까지 Electronic-Device 의 동작이 가능하다. 또한 좁은 Bandgap보다 더 심각한 문제는 게르마늄 표면에는 안정된 Passivation층이 잘 형성되지 않는다는 것이다. 더구나 Electronic Grade 실리콘은 게르마늄에 비해 10분의 1 이하의 제조 비용으로 얻을 수 있는 장점이 있다. 따라서 반도체 산업에서 실리콘은 게르마늄 대신 Electronic Device 원재료로서 거의 완전히 대체되었다. 그러나, 실리콘이 모든 면에서 최상의 반도체 재료는 아니다.

참고 자료

LG siltron

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