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반도체(pn형,pn접합형,다이오드,트랜지스터

*정*
최초 등록일
2001.03.27
최종 저작일
2001.03
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목차

없음

본문내용

1)N형 반도체
순수한 물질보다 더 많은 자유 전자를 가지는 불순물을 첨가하면 순수 물질 내의 전자 - 정공의 균형이 깨진다. 불순물을 첨가하면 순수한 물질의 전도 성질은 불순물의 에너지 레벨에 있게 된다. 매우 작은 에너지는 반도체 물질에서 과잉 전자들을 이동시키는 데 요구된다. 대략 -223℃에서 -173℃ 사이에서 불순물의 거의 모든 전자들은 반도체 물질로 이동하게 된다. 불순물로 도핑괸 물질에서 순수한 전자-정공쌍에 대하여 아주 낮은 온도에서 전자농도(electron concentration)를 가질 수 있다.

▣ 목차
1. PN형 반도체
2. 다이오드
3. 트랜지스터
4. 사이리스터

참고 자료

없음

자료후기(9)

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