반도체(pn형,pn접합형,다이오드,트랜지스터

등록일 2001.03.27 한글 (hwp) | 19페이지 | 가격 900원

본문내용

1)N형 반도체
순수한 물질보다 더 많은 자유 전자를 가지는 불순물을 첨가하면 순수 물질 내의 전자 - 정공의 균형이 깨진다. 불순물을 첨가하면 순수한 물질의 전도 성질은 불순물의 에너지 레벨에 있게 된다. 매우 작은 에너지는 반도체 물질에서 과잉 전자들을 이동시키는 데 요구된다. 대략 -223℃에서 -173℃ 사이에서 불순물의 거의 모든 전자들은 반도체 물질로 이동하게 된다. 불순물로 도핑괸 물질에서 순수한 전자-정공쌍에 대하여 아주 낮은 온도에서 전자농도(electron concentration)를 가질 수 있다.

▣ 목차
1. PN형 반도체
2. 다이오드
3. 트랜지스터
4. 사이리스터

*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • [전기]PN 접합 다이오드 특성 17페이지
    ..PAGE:1 P-N diode ..PAGE:2 P-N diode 의 특성 차 례 1. n형 물질. 2. p형 물질. 3. pn 다이오드. 1) 무 바이어스. 2) 순방향 바이어스. 3) 역방향 바이어스. 4) 전류-전압 특성곡선 5) 실리콘, 게르마늄의 전류-전압 ..
  • pn접합형 다이오드의 특성곡선 결과레포트 5페이지
    결과 보고서 -저항- -다이오드- 이론값 : 300 OMEGA , 1K OMEGA , 100K OMEGA , 100 OMEGA 1N4148, 1N4001 실험값 : 300 OMEGA ? 295.7 OMEGA 1K OMEGA ? 994.9 OMEGA 100K OMEGA ..
  • PN접합 다이오드 6페이지
    PN접합 다이오드 ● 실험의 목표 (1) 순방향 전류가 흐를 때의 다이오드의 특징 (2) 역방향 전류가 흐를 때의 다이오드의 특징 (3) 순방향 전류는 몇 V부터 흐르기 시작하는지의 여부 확인 ● 기본 이론 (1) 다이오드 다이오드는 가장 간단하고 기본적인 비선형 소..
  • pn 접합 실험 2페이지
    PN 접합 실험 실험1) 목적 : 물질상수 N을 측정한다 이론 실험방법 1)Main 스위치를 on으로 한다 2)Current 쪽으로 스위치를 이동시킨다 3)Junction 쪽으로 스위치를 이동시킨다 4)서서히Current를 올려주면서 그때의 Junction Volta..
  • [대충] 결과 PN접합다이오드 3페이지
    전자회로실험(결과보고서) 실험 : 접합 다이오드의 특성 1. 결과보고 사항 표 1. 순 · 역방향 바이어스 영향 측정 단계 Vak Id 다이오드 저항 2 0.7 7.8mA 89.7Ω 3 0.8 32.1mA 24.9Ω 4 -0.8 0mA ∞ 5 순방향 저항: 90Ω 역..
  • 기초전기실험 PN접합 다이오드의 정특성과 스위칭특성 예비보고서 5페이지
    ■Review questions 1. 다음 용어들을 정의하여 보자. (a) 캐리어 공유 결합에 참여한 전자들은 그 물질 안에서 자유롭게 움직일 수 없기 때문에 전류를 흘리는 데에 기여하지 못한다. 그러므로 모든 전자가 공유결합에 참여한 4족의 물질에는 그 안에서 자유롭..
  • [전기 전자 공학] PN 접합 다이오드 8페이지
    [1] PN접합의 Bias 1.1 인가된 전압이 없을 경우 : 열평형 상태 1.2 순방향 바이어스 1.3 역방향 바이어스 [2] 항복 2.1 사태 항복 2.2 제너 항복 [1] PN접합의 Bias 1.1 인가된 전압이 없을 경우 : 열 평형 상태 그림 6.1a 와 같이..
더보기
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      4. 지식포인트 보유 시 지식포인트가 차감되며
         미보유 시 아이디당 1일 3회만 제공됩니다.
      상세하단 배너
      최근 본 자료더보기
      상세우측 배너
      반도체(pn형,pn접합형,다이오드,트랜지스터