반도체(pn형,pn접합형,다이오드,트랜지스터

등록일 2001.03.27 한글 (hwp) | 19페이지 | 가격 900원

본문내용

1)N형 반도체
순수한 물질보다 더 많은 자유 전자를 가지는 불순물을 첨가하면 순수 물질 내의 전자 - 정공의 균형이 깨진다. 불순물을 첨가하면 순수한 물질의 전도 성질은 불순물의 에너지 레벨에 있게 된다. 매우 작은 에너지는 반도체 물질에서 과잉 전자들을 이동시키는 데 요구된다. 대략 -223℃에서 -173℃ 사이에서 불순물의 거의 모든 전자들은 반도체 물질로 이동하게 된다. 불순물로 도핑괸 물질에서 순수한 전자-정공쌍에 대하여 아주 낮은 온도에서 전자농도(electron concentration)를 가질 수 있다.

▣ 목차
1. PN형 반도체
2. 다이오드
3. 트랜지스터
4. 사이리스터

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  • [전기]PN 접합 다이오드 특성 17페이지
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  • pn접합형 다이오드의 특성곡선 결과레포트 5페이지
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  • PN접합 다이오드 6페이지
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    1.PN접합다이오드개요 PN접합다이오드는 P형 불순물반도체와 N형 불순물반도체를 접합하여 만들어진 반도체소자로서 접합면 부분에 전압 경계층이 형성되어 역방향전압을 인가하면 도통이 안되고 약간의 문턱전압 이상의 순방향전압을 인간하면 도통하는 특성을 갖..
  • 아주대 기초전기실험 실험결과5 PN 접합 다이오드의 정특성과 스위칭 특성 10페이지
    위 의 그래프에서 직선의 방정식을 logI= AV+B 로 정의 내릴 수 있다. 여기서 B는 전압이 0일 때 전류의 값이며 전류축과 만나는 점이다.우선 이 직선의 방정식을 두 점 전류가 각 각 10㎂, 100㎂ 인 점 (0.39 ,-5)과 (0.480, -4)에 의해 A..
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