반파정류회로 예비리포트

등록일 2000.11.01 한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 500원

목차

1. 실험목적

2. 준비물

3. 이론..
1) 반도체 semiconductor - 도체와 부도체의 중간적인 특성..
2) 반도체 다이오드 pn 접합을 이용한 소자
3) 반파정류회로
4. 실험방법
1) 회로를 그림과 같이 연결한다.
2) 신호발생기(F.G)로 회로에 전압을 가한다.
3) 오실로스코프(O.S)로 파형을 관찰한다.
4) 반도체 다이오드의 방향을 반대로 하고 같은 내용 반복, LED를 이용해서 역시 순방향, 역방향으로 한번씩 같은 내용 반복..


본문내용

1. 실험목적
반도체 다이오드와 LED를 이용하여 다이오드의 정류특성을 이해한다..

2. 준비물
신호발생기(sweep fungtion generation), 오실로스코프, 반도체 다이오드, LED, 저항, 연결할 선..

3. 이론..
1) 반도체 semiconductor - 도체와 부도체의 중간적인 특성..
- 순수한 규소(Si)나 게르마늄(Ge)의 결정은 상온에서 전기 전도도가 매우 작다. 그러나 온도가 높아지면 원자에 묶여 있던 전자가 떨어져 나와 전기전도에 기여를 하게 된다. 이러한 반도체를 고유반도체라 하고, 이 고유 반도체에 약간의 불순물을 첨가하여 상온에서도 전기 전도성을 갖게 만든 반도체를 불순물 반도체라 한다.

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