초고주파정리

등록일 2000.10.20 한글 (hwp) | 8페이지 | 가격 1,000원

목차

1. HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)의 동작개요와 응용
2. Tunneling Diode 의 동작개요와 응용
3. Hemt(High Electron Mobility Transistor) 의 동작개요와 응용
4. Gunn Effect Diode 의 동작개요와 응용
5. IMPATT Didode 의 동작개요와 응용
6. Klystron 의 동작개요와 응용
7.TWT (나선형 진행파관) 의 동작개요와 응용
8. Magnetron 의 동작개요와 응용

본문내용

바이폴라트랜지스터(BJT)는 호모정션(Homojunction)이나 헤테로 정션(Hererojunction)의 타입으로 구성될수 있다.
트랜지스터의 결합이 비슷한 물질 예컨대 Si과 Si, Ge과 Ge 같은 물질로 접합을 이루면 '호모정션트랜지스터'라고 한다. 반면에 다른 물질과의 접합을 이루면 '헤테로 정션 트랜지스터'라고 한다. 이와 같은 물질은 Ge과 GaAs 같은 물질이 있다.
E에 n-Ge , B에 p-GaAs, C에 n-GaAs 를 쓸때 Ge과 GaAs 의 에너지 밴드가 다르기때문에 접합을 시키면 그 매질의 에너지 준위가 같아질 때까지 n-Ge 의 전자는 p-GaAs 로 주입되며 p-GaAs 내의 정공은 n-Ge 내로 주입된다.이에 따라 접합부의 에너지 대역은 공핍층이 되거나 휘게 된다.

헤테로정션 트랜지스터는 1951년부터 연구가 되어왔고 많은 '광소자'에 응용이 된다.이 트랜지스터는 GaAs MESFETs와 같은 '고속 스위칭소자'로 유력한 소자이다 또다

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