초전도재료의 박막화

등록일 2000.10.08 한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 1,000원

본문내용

일반적으로 박막화기술은 (1) 물질을 고온으로 가열하는 방법 (2) 이온공학기술을 이용하는 방법 (3) 화학반응을 이용하는 3가지 방법으로 대별할 수 있다.

(1)의 방법은 가열하는 방법에 따라서 저항가열법, EB법, 레이저법 등으로 나눈다.
(2)의 방법은 sputter법이나 cluster 이온빔법 등 물리적인 에너지를 이용해서 박막을 형성하는 방법이다.
(3)의 방법은 성분원소를 기체형태로 옮겨 기판상에서 분해, 반응시키는 방법이며 분해방식에 따라서 光CVD, ECR플라즈마 CVD 등으로 부른다.

박막을 형성하기 위하여는 구성원소가 기판상에서 마이크레이트하는 운동에너지를 가질 필요가 있다. 이 운동에너지가 적은 경우에는 기판온도를 높임으로써 에너지를 보충할 필요가 있다. 화합물박막을 형성하기 위하여는 특히 반응을 위한 화학에너지가 필요하며 기판온도를 높이는 것 이외에 光, 플라즈마 등에서 공급한다.


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