[공학]DRY ETCHING

등록일 2000.09.15 한글 (hwp) | 65페이지 | 가격 1,000원

목차

I. DRY ETCHING
1. 개요
2. Plasma란?
2.1 Plasma란?
2.2 Plasma 변수
2.3 Plasma의 분류
3. 저온 PLASMA
3.1 저온 plasma 발생법
4. Etching
4.1 반도체 공정에서 쓰이는 곳
4.2 Isotropic & anisotropic etchinng
5. PLASMA ETCHING
5.1 Origin
5.2 식각 mechanism
5.3 식각 과정
5.4 건식 식각에서 요구되는 것들
6. 식각 특성과 공정 변수
6.1 공정 변수
7. 종말점 찾기
7.1 Pressure change
7.2 Bias change
7.3 질량분석
7.4 Laser interferometry and reflectance
8. 식각 특성
8.1 식각 Profile
8.2 식각선택성
8.3 첨가가스
9. 식각 단위공정
9.1 Silicon or Poly-Silicon Etching
9.2 SiO2 식각
9.3 Si3N4 식각
9.4 Al etching
9.5 Oxygen plasma etching of PR
9.6 processing시 유의할 점
9.7 기존 식각공정의 검토

II. DRIE 284 MANUAL
1. 개요
1.1 진공장비
1.2 Chiller
1.3 RF power supply
1.4 Gas cabinet
1.5 Load arm
1.6 Wafer가 깨지는 경우
1.7 그 외
2. 공정조건
2.1 Metal etch
2.2 Poly-Si etch
2.3 Oxide/Nitride etch
3. 장비의 모습
3.1 전체의 모습
3.2 각각의 모습
4. Operation Flow chart
4.1 전체 flow chart
4.2 사전 준비작업
4.3 조건 수정
4.4 공정전 확인
4.5 공정
4.6 정리 작업
5. Button 사용법
5.1 Cycle start
5.2 Hold
5.3 Wafer clear
5.4 Chiller
6. 간단한 trouble shooting
7. 장비 특색 정리
7.1 Oxide/ Nitride
7.2 Poly
7.3 Metal
8. 주의사항
9. 요약
9.1 RIE-284의 사용 범위
9.2 장비 사용방법

본문내용

I. DRY ETCHING


1. 개요
건식 식각은 반도체 소자 제조에 있어서 lithography와 함께 가장 기본적이고 critical한 공정이다. 본 부분에서는 플라즈마에 대한 기본적인 소개와 이를 이용한 건식식각의 메카니즘, 공정 변수와 식각 특성 등을 알아 본다.

2. Plasma란?
2.1 Plasma란?
•이온화된 기체
- 집단화된 행동(collective behavior)
: 쿨롱 힘
보통 기체와 달리 전자와 이온이 집단적인 행동을 보이게 되는데 이 점이 plasma가 다른 상태와 다른 점이다.
- 준중성(quasi-neutral)
전기적으로 볼 때는 중성이라 볼 수 있지만 전자계와의 상호 작용을 모두 무시할 수 없다.
아래에서 설명할 debye length와 plasma parameter가 이 용어와 관계가 있는데 이는 아래에서 설명하려고 한다.
: Ni=Ne
•물질의 제 4상태











그림 1. 물질의 4 상태
2.2 Plasma 변수
•Debye length

여기에서 n∞는 무한대에서의 농도를 나타내고 k는 볼츠만 상수 그리고 Te는 전자의 온도를 나타낸다. 윗 식에는 전자의 온도가 이온의 온도보다 매우 높다는 가정하에 유도된 것입니다. 이 가정에 대한 검증은 아래에 나와 있다.
이 변수를 아래 그림을 보면서 설명하면, 만약에 Vo의 potential이 걸려 있는 grid 주위의 전위를 살펴보면 보통의 기체라면 potential이 거리의 역수에 비례하여 감소할 것이지만, plasma상태라면 아래의 그림 2처럼 debye length밖에는 거의 위의 grid가 존재하는 효과가 나타나지 않는다. 이를 debye차폐라고 이야기한다. 즉 전기적으로는 거의 중성이라고 볼 수 있지만 전자계와의 상호 작용이 모두 무시될 수 없으므로 준중성이라고 한다.
*원하는 자료를 검색 해 보세요.
  • DRY ETCHING 26페이지
    Dry Etch 란?건식 식각 반도체나 LCD 제조공정 중 회로패턴 을 형성시켜 주기 위해 필요 없는 부분을 선택 적으로 제거시키는 공정으로, 용액성 화학물 질을 사용하지 않고 활성화된 가스(Plasma)를 이용하여 식각하는 방법DrY EtCH 란?장점 : 비등방성 ..
  • 반도체공정 (Etching & Doping) 29페이지
    - 불순물의 주입 목적 - ․ Metal과 Si의 접촉 저항을 낮추기 위해 표면을 high doping 해준다. ․ Surface electric field effect를 이용한 소자의 특성 조절을 위해 표면을 low doping 해 준다. (ex) LDD. ․ ..
  • [에칭공정]에칭(etching)의 이해 및 공정 8페이지
    플라즈마는 이온화된 기체를 지칭하며, 기체가 수만도 이상의 고온이되면서 만들어지기 시작하고, 보통의 기체와는 매우 다른 독톡한 성질을 갖기 때문에 물질의 제 4의 상태라 하기도 한다. 지구상에서는 물질의 대부분이 고체, 액체, 기체의 상태로 존재하고 자연적으로 존재하는..
  • [공업화학실험] 식각실험 예비보고서 12페이지
    1. 실험제목 SiO2 박막의 식각 및 PR 제거2. 실험목적 여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지 는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러..
  • LED광학-건식식각 배경 이론 19페이지
    Objective : Pattern Transfer 반응원리Physical etch – Ion accelerated by E fieldAnisotropic etch (비등방성 식각)Selectivity (선택비) 낮음Lattice damage 심함Chemical et..
  • [반도체 공정]Dry etching 22페이지
    Introduction to Etch Process Obective: pattern transfer 반응원리:Physical etch – ion accelerated by E fieldAnisotropic etch(비등방성 식각)Selectivity(선택비)낮음La..
  • Dry etching(건식 식각) 9페이지
    1. Etching Issues 1) Isotropy ↔ Anisotropy2. Advantage 1) Eliminates handling of dangerous acids and solvents 2) Uses small amounts of chemicals 3) A..
더보기
      최근 구매한 회원 학교정보 보기
      1. 최근 2주간 다운받은 회원수와 학교정보이며
         구매한 본인의 구매정보도 함께 표시됩니다.
      2. 매시 정각마다 업데이트 됩니다. (02:00 ~ 21:00)
      3. 구매자의 학교정보가 없는 경우 기타로 표시됩니다.
      최근 본 자료더보기
      추천도서