반도체 정리4

등록일 2000.08.27 한글 (hwp) | 2페이지 | 가격 500원

목차

Ⅳ 전장 효과 트랜지스터
1. FET(field effect transistor)
① 접합형 FET
② 절연 게이트형(MOS) FET

본문내용

Ⅳ 전장 효과 트랜지스터
1. FET(field effect transistor)
전장 효과 트랜지스터는 보통 트랜지스터와는 달리 다수 반송자(carrier)에 의하여 전류가 흐르며, 특성은 5극 진공관과 비슷하다.
그림 1 전장 효과 트랜지스터의 종류1) FET의 종류
내부 구조에 따라 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이 있고, 이들 각각은 n 채널형과 p 채널형으로 나뉜다.
전극에는 드레인(D), 소스(S), 게이트(G)의 3개가 있다.
① 접합형 FET
n형의 반도체의 양끝에 전극이 오옴(ohm) 접촉이 되어 있고 이들 사이에 전압을 걸면 전류가 흐른다. 이 때 흐르는 전류는 다수 캐리어(전자)에 의하여 흐른다.
㉠ 소스(source) : 다수 캐리어가 반도체로 흘러 들어가는 쪽의 전극
㉡ 드레인(drain) : 다수 캐리어가 반도체에서 흘러 나가는 쪽의 전극
그림 2 FET 내부의 전자 움직임㉢ 게이트(gare) : n형 반도체의 양 옆 면은 억셉터 원자로 진하게 도우핑되어 있으며, n형 반도체와 pn 접합을 이루고 있는데, 이 p+형 영역을 게이트라 한다.
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